Vishay IRFR/U Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 1.7 Amp 8,068En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 1.7 A 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 5.3A 2,548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 50 V 5.3 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 600V 1.4A N-CH MOSFET 2,195En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 1.4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 3.3 Amp 1,153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 100V 2,145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 7.7A 21,910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 1.4A N-CH MOSFET 3,822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 3,653En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET 1,473En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 2.6A N-CH MOSFET 4,346En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 200 V 2.6 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp 1,282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 14A 4,605En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 14A 6,437En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 3.3 Amp 3,097En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET 6,949En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET 6,117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 8.8A 3,882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET 4,494En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp 4,571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 7.7A 3,083En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 200V 2.6 Amp 11,393En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 2.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds, 20V Vgs DPAK (TO-252) 9,164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 2.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.1 Amp 5,259En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET 3,333En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 200V 3.6 Amp 2,615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube