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IRFR420PBF

Name: Vishay IRFR420PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR420PBF
Price: 1.67 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

844-IRFR420PBF

Fabricante N.º:

IRFR420PBF

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

IRFR420PBF Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$1.67	$1.67
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	$0.665	$66.50
	$0.58	$290.00
	$0.523	$523.00
	$0.48	$1,440.00
	$0.435	$2,610.00
	$0.429	$3,861.00
	$0.418	$10,032.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR420TRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.67

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR420PBF-BE3

Embalaje:

Bulk

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.37

Mín.:

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	17 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.6 ns
Serie:	IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	33 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3