IRFU210PBF

Vishay Semiconductors
844-IRFU210PBF
IRFU210PBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 2.6A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
200 V
2.6 A
1.5 Ohms
- 30 V, 30 V
2 V
8.2 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 0.8 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 17 ns
Serie: IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 14 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8.2 ns
Peso de la unidad: 340 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99