|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$5.87
-
676En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
676En existencias
|
|
|
$5.87
|
|
|
$4.70
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.37
|
|
|
$2.99
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N050DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.31
-
196En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
196En existencias
|
|
|
$6.31
|
|
|
$4.47
|
|
|
$4.47
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB25N018M9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.13
-
140En existencias
-
1,000Se espera el 18/5/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB25N018M9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
140En existencias
1,000Se espera el 18/5/2026
|
|
|
$6.13
|
|
|
$4.02
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.74
|
|
|
$2.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
- STL059N4S8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.58
-
117En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL059N4S8AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
|
|
117En existencias
|
|
|
$3.58
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N065DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$5.76
-
218En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
218En existencias
|
|
|
$5.76
|
|
|
$4.61
|
|
|
$4.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
- SCT019HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$22.12
-
12En existencias
-
600Se espera el 15/2/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
|
|
12En existencias
600Se espera el 15/2/2027
|
|
|
$22.12
|
|
|
$16.52
|
|
|
$12.63
|
|
|
$12.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
SiC MOSFETS
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-11W
- STMicroelectronics
-
1:
$87.42
-
226En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
226En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 64 V TVS
- SMC30J64A
- STMicroelectronics
-
1:
$1.21
-
3,902En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SMC30J64A
|
STMicroelectronics
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 64 V TVS
|
|
3,902En existencias
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.761
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.478
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.537
|
|
|
$0.456
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SMC (DO-214AB)
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.51
-
1,463En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,463En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
- STD18NF25
- STMicroelectronics
-
1:
$2.99
-
17,351En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
|
|
17,351En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.08
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.899
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.899
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.42
-
42,113En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
42,113En existencias
|
|
|
$1.42
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.595
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.352
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.341
|
|
|
$0.34
|
|
|
$0.331
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
- TN3050HP-12L2Y
- STMicroelectronics
-
1:
$5.07
-
568En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN3050HP-12L2Y
|
STMicroelectronics
|
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
|
|
568En existencias
|
|
|
$5.07
|
|
|
$4.15
|
|
|
$3.59
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
HUPAK-9
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.40
-
180En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
180En existencias
|
|
|
$20.40
|
|
|
$14.57
|
|
|
$10.63
|
|
|
$10.63
|
|
|
$10.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$18.01
-
522En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
522En existencias
|
|
|
$18.01
|
|
|
$11.59
|
|
|
$10.82
|
|
|
$9.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
- TN1605H-8G-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$2.03
-
3,994En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8G-TR
|
STMicroelectronics
|
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
|
|
3,994En existencias
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.864
|
|
|
$0.698
|
|
|
$0.624
|
|
|
$0.555
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
SCRs
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.38
-
3,776En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,776En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.35
-
6,422En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
6,422En existencias
|
|
|
$11.35
|
|
|
$7.90
|
|
|
$7.28
|
|
|
$7.20
|
|
|
$7.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
- ESDALC6V1-5P6
- STMicroelectronics
-
1:
$0.53
-
122,829En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ESDALC6V1-5P6
|
STMicroelectronics
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
|
|
122,829En existencias
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.229
|
|
|
$0.19
|
|
|
$0.14
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.164
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.118
|
|
|
$0.114
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
SOT-666-6
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.26
-
1,546En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
1,546En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060-E
- STMicroelectronics
-
1:
$56.18
-
860En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
860En existencias
|
|
|
$56.18
|
|
|
$48.43
|
|
|
$46.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.31
-
2,421En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,421En existencias
|
|
|
$4.31
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.84
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.49
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$3.92
-
12,142En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
12,142En existencias
|
|
|
$3.92
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.43
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.41
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
- SM15T39CAY
- STMicroelectronics
-
1:
$1.11
-
47,400En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SM15T39CAY
|
STMicroelectronics
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
|
|
47,400En existencias
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.995
|
|
|
$0.719
|
|
|
$0.58
|
|
|
$0.446
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.414
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SMC (DO-214AB)
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
- STD888T4
- STMicroelectronics
-
1:
$0.98
-
70,965En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD888T4
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
|
|
70,965En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.398
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.265
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.276
|
|
|
$0.213
|
|
|
$0.208
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
- STL130N6F7
- STMicroelectronics
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1:
$2.99
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20,019En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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20,019En existencias
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$2.99
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$1.93
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$1.32
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$1.08
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$1.02
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$0.949
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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PowerFLAT-5x6-8
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