STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole STPAK-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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1,200En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
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13En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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173En existencias
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: 200

MOSFETs Si
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS
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2,364En existencias
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: 2,500

STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
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571En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
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9,415En existencias
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: 2,500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
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5,567En existencias
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: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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489En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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580En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
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2,994En existencias
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: 1,000

SCRs
STMicroelectronics SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
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526En existencias
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: 600

SCRs SMD/SMT HUPAK-9

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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11,068En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
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47,393En existencias
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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760En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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16,971En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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38,160En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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4,499En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
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11,061En existencias
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: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
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63En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole SDIPHP-30


STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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533En existencias
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1,538En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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2,368En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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3,649En existencias
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: 3,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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5,857En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4