|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
- SCTHC250N120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$76.79
-
32En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTHC250N120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
|
|
32En existencias
|
|
|
$76.79
|
|
|
$63.45
|
|
|
$57.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
STPAK-4
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
- STGI15C60S
- STMicroelectronics
-
1:
$11.54
-
57En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGI15C60S
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
|
|
57En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10
|
|
IGBTs
|
|
Through Hole
|
CDIPB-26L
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$7.07
-
409En existencias
-
1,200En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
409En existencias
1,200En pedido
Existencias:
409 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
600 Se espera el 12/2/2027
600 Se espera el 26/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
|
$7.07
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.75
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
2,368En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,368En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.51
-
1,332En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,332En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,498En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.391
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.364
|
|
|
$0.355
|
|
|
$0.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
1,533En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
1,533En existencias
|
|
|
$15.56
|
|
|
$11.01
|
|
|
$10.19
|
|
|
$10.18
|
|
|
Ver
|
|
|
$9.91
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.40
-
173En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
173En existencias
|
|
|
$20.40
|
|
|
$13.01
|
|
|
$12.31
|
|
|
$12.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$18.64
-
459En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
459En existencias
|
|
|
$18.64
|
|
|
$10.77
|
|
|
$10.76
|
|
|
$9.50
|
|
|
$9.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N045M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$10.31
-
536En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
536En existencias
|
|
|
$10.31
|
|
|
$6.22
|
|
|
$5.57
|
|
|
$4.78
|
|
|
$4.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.55
-
3,639En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,639En existencias
|
|
|
$8.55
|
|
|
$6.16
|
|
|
$5.56
|
|
|
$4.72
|
|
|
$4.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.35
-
5,857En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
5,857En existencias
|
|
|
$11.35
|
|
|
$7.90
|
|
|
$7.28
|
|
|
$7.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$7.06
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
- STL57N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$12.69
-
2,439En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
|
|
2,439En existencias
|
|
|
$12.69
|
|
|
$7.27
|
|
|
$7.17
|
|
|
$7.03
|
|
|
$6.65
|
|
|
$6.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$4.11
-
11,058En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
11,058En existencias
|
|
|
$4.11
|
|
|
$2.68
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
- STE145N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$32.52
-
760En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
|
|
760En existencias
|
|
|
$32.52
|
|
|
$23.86
|
|
|
$22.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
ISOTOP
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
- STL8N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.53
-
38,107En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
|
|
38,107En existencias
|
|
|
$1.53
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.639
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.479
|
|
|
$0.478
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-3.3x3.3-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FD
- STMicroelectronics
-
1:
$8.00
-
4,451En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
|
|
4,451En existencias
|
|
|
$8.00
|
|
|
$4.74
|
|
|
$4.36
|
|
|
$3.91
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.40
|
|
|
$3.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
- STL10LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.29
-
3,153En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL10LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
|
|
3,153En existencias
|
|
|
$4.29
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.53
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-VHV-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STD12N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.41
-
2,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
2,383En existencias
|
|
|
$3.41
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$25.42
-
228En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
228En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
- STB31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.91
-
840En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
|
|
840En existencias
|
|
|
$5.91
|
|
|
$3.87
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.16
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
- STGWA35IH135DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.15
-
477En existencias
-
600Se espera el 27/8/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA35IH135DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
|
|
477En existencias
600Se espera el 27/8/2027
|
|
|
$5.15
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
- BD437
- STMicroelectronics
-
1:
$1.34
-
7,071En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BD437
N.º de artículo de Mouser
511-BD437
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
|
|
7,071En existencias
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.628
|
|
|
$0.491
|
|
|
$0.407
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.368
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.295
|
|
|
$0.291
|
|
|
$0.274
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
SOT-32-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
- BUL38D
- STMicroelectronics
-
1:
$1.99
-
3,243En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BUL38D
N.º de artículo de Mouser
511-BUL38D
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
|
|
3,243En existencias
|
|
|
$1.99
|
|
|
$0.955
|
|
|
$0.853
|
|
|
$0.676
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.532
|
|
|
$0.513
|
|
|
$0.486
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
- SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics
-
1:
$18.20
-
2,309En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTL35N65G2V
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
|
|
2,309En existencias
|
|
|
$18.20
|
|
|
$12.92
|
|
|
$11.24
|
|
|
$10.64
|
|
|
$10.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5
|
N-Channel
|
|
