|
|
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT1D5R10MEA
- STMicroelectronics
-
1:
$8.29
-
270En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT1D5R10MEA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
270En existencias
|
|
|
$8.29
|
|
|
$5.84
|
|
|
$4.72
|
|
|
$4.20
|
|
|
$3.37
|
|
|
$3.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
FCLGA-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$7.07
-
348En existencias
-
1,200En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
348En existencias
1,200En pedido
Existencias:
348 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
600 Se espera el 5/2/2027
600 Se espera el 19/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
|
$7.07
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.75
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
2,368En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,368En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$2.37
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
1,533En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
1,533En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.31
-
174En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH63N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
174En existencias
|
|
|
$20.31
|
|
|
$15.39
|
|
|
$12.00
|
|
|
$12.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ACEPACK SMIT-9
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.40
-
173En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
173En existencias
|
|
|
$20.40
|
|
|
$13.01
|
|
|
$12.31
|
|
|
$12.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$18.67
-
459En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
459En existencias
|
|
|
$18.67
|
|
|
$10.77
|
|
|
$10.76
|
|
|
$10.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N045M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$10.43
-
572En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
572En existencias
|
|
|
$10.43
|
|
|
$5.70
|
|
|
$5.41
|
|
|
$4.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.51
-
1,332En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,332En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,498En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.391
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.379
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$4.11
-
11,058En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
11,058En existencias
|
|
|
$4.11
|
|
|
$2.68
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
- STE145N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$32.14
-
760En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
|
|
760En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
ISOTOP
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
- STL8N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.53
-
38,107En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
|
|
38,107En existencias
|
|
|
$1.53
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.639
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.479
|
|
|
$0.478
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-3.3x3.3-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FD
- STMicroelectronics
-
1:
$8.00
-
4,332En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
|
|
4,332En existencias
|
|
|
$8.00
|
|
|
$4.74
|
|
|
$4.21
|
|
|
$3.79
|
|
|
$3.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.55
-
3,480En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,480En existencias
|
|
|
$8.55
|
|
|
$6.16
|
|
|
$5.56
|
|
|
$5.26
|
|
|
$5.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.35
-
5,107En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
5,107En existencias
|
|
|
$11.35
|
|
|
$7.90
|
|
|
$7.28
|
|
|
$7.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$7.06
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
- STL57N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$12.69
-
2,439En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
|
|
2,439En existencias
|
|
|
$12.69
|
|
|
$7.27
|
|
|
$7.17
|
|
|
$7.03
|
|
|
$6.65
|
|
|
$6.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
- STL10LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.31
-
3,153En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL10LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
|
|
3,153En existencias
|
|
|
$4.31
|
|
|
$2.58
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.67
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-VHV-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STD12N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.41
-
2,353En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
2,353En existencias
|
|
|
$3.41
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$25.42
-
228En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
228En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
- STB31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.91
-
840En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
|
|
840En existencias
|
|
|
$5.91
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.18
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
- STGWA35IH135DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.15
-
477En existencias
-
600En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA35IH135DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
|
|
477En existencias
600En pedido
|
|
|
$5.15
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
- 2STR2160
- STMicroelectronics
-
1:
$0.76
-
22,302En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-2STR2160
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
|
|
22,302En existencias
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.23
|
|
|
$0.169
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.207
|
|
|
$0.153
|
|
|
$0.14
|
|
|
$0.135
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- STB28NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$8.36
-
806En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
|
|
806En existencias
|
|
|
$8.36
|
|
|
$4.53
|
|
|
$4.16
|
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|
$4.07
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$3.84
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Min.: 1
Mult.: 1
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1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
- STB33N60DM2
- STMicroelectronics
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1:
$5.96
-
848En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60DM2
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
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848En existencias
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$5.96
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$3.13
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$2.86
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$2.60
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$2.22
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$2.11
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
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