MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V

Los MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V de Infineon ofrecen al diseñador una nueva opción que puede simplificar los circuitos, a la vez que optimizan el rendimiento. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Los MOSFET de potencia de canal P son ideales para aplicaciones de protección de batería, protección contra polaridad inversa, cargadores de baterías lineales, conmutación de carga, convertidores CC/CC y unidades de bajo voltaje.

Resultados: 27
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 30,567En existencias
Cinta cortada
$2.47
$1.27
$1.05
$0.891
$0.838
Envase tipo carrete
$0.794
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 3,304En existencias
Cinta cortada
$2.21
$1.07
$0.956
$0.76
$0.744
Envase tipo carrete
$0.628
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 22 A 65 mOhms 20 V 2.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 2,241En existencias
Cinta cortada
$2.48
$1.21
$1.05
$0.868
$0.822
Envase tipo carrete
$0.747
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 22 A 111 mOhms 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 2,586En existencias
Cinta cortada
$5.72
$2.99
$2.73
$2.52
Envase tipo carrete
$2.32
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 63 A 32 mOhms 20 V 2 V 219 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 4,454En existencias
Cinta cortada
$1.93
$0.925
$0.821
$0.653
$0.616
Envase tipo carrete
$0.529
Min.: 1
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: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.7 A 186 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 2,170En existencias
Cinta cortada
$1.52
$0.714
$0.635
$0.497
Envase tipo carrete
$0.404
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 16.4 A 90 mOhms 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 930En existencias
Cinta cortada
$2.69
$1.32
$1.17
$0.991
Envase tipo carrete
$0.873
$0.831
Min.: 1
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: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.8 A 185 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 36,945En existencias
Cinta cortada
$0.43
$0.30
$0.19
$0.119
Envase tipo carrete
$0.092
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 2,424En existencias
Cinta cortada
$1.23
$0.762
$0.501
$0.393
Envase tipo carrete
$0.305
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 3,436En existencias
Cinta cortada
$1.12
$0.695
$0.457
$0.359
Envase tipo carrete
$0.278
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 6,693En existencias
Cinta cortada
$6.49
$3.44
$3.14
$2.91
Envase tipo carrete
$2.75
Min.: 1
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: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 41 A 72 mOhms 20 V 2 V 224 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 451En existencias
2,000Se espera el 26/11/2026
Cinta cortada
$2.11
$1.02
$0.908
$0.72
Envase tipo carrete
$0.659
$0.596
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 6,444En existencias
Cinta cortada
$5.53
$2.89
$2.63
$2.35
Envase tipo carrete
$2.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 100 A 11 mOhms 20 V 1 V 281 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 14,658En existencias
Cinta cortada
$0.65
$0.291
$0.255
$0.193
Envase tipo carrete
$0.172
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Min.: 1
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: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 990 mA 2 Ohms 20 V 2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 2,121En existencias
Cinta cortada
$2.34
$1.14
$1.02
$0.813
Envase tipo carrete
$0.767
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Min.: 1
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: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE) 7,500En existencias
10,000Se espera el 15/4/2027
Cinta cortada
$2.02
$0.966
$0.859
$0.681
Envase tipo carrete
$0.552
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Min.: 1
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: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 60 V 3.44 A 110 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 3,312En existencias
Cinta cortada
$5.82
$3.81
$2.81
$2.54
Envase tipo carrete
$2.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 7,724En existencias
Cinta cortada
$2.27
$1.10
$0.984
$0.784
Envase tipo carrete
$0.685
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 9 A 420 mOhms 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 677En existencias
$6.08
$3.20
$2.92
$2.80
$2.51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 3,643En existencias
Cinta cortada
$0.85
$0.386
$0.34
$0.26
Envase tipo carrete
$0.233
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 1.29 A 1.38 Ohms 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 12,699En existencias
Cinta cortada
$0.64
$0.289
$0.254
$0.192
Envase tipo carrete
$0.171
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.1 A 750 mOhms 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 813En existencias
5,000En pedido
Cinta cortada
$0.75
$0.341
$0.301
$0.229
Envase tipo carrete
$0.228
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 1.55 A 980 Ohms 20 V 2 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 687En existencias
Cinta cortada
$2.07
$0.996
$0.891
$0.707
$0.667
Envase tipo carrete
$0.582
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.9 A 178 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 1,855En existencias
2,500Se espera el 25/2/2027
Cinta cortada
$1.27
$0.59
$0.524
$0.407
Envase tipo carrete
$0.315
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 2,006En existencias
2,000Se espera el 31/12/2026
Cinta cortada
$1.23
$0.574
$0.509
$0.395
Envase tipo carrete
$0.382
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 125 mOhms 20 V 2.1 V 20.2 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel