CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

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Resultados: 28
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 2,000En existencias
Cinta cortada
$9.23
$5.35
$4.89
$4.59
Envase tipo carrete
$4.33
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 724En existencias
$21.96
$16.10
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 3,500En existencias
Cinta cortada
$20.40
$13.10
$12.32
Envase tipo carrete
$12.32
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 2,333En existencias
$34.12
$23.43
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 436En existencias
Cinta cortada
$15.15
$9.38
Envase tipo carrete
$8.87
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 889En existencias
Cinta cortada
$10.79
$6.00
$5.70
Envase tipo carrete
$5.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 1,433En existencias
Cinta cortada
$8.32
$5.65
$4.14
$4.00
Envase tipo carrete
$3.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 1,670En existencias
Cinta cortada
$6.42
$3.40
$3.10
$2.99
Envase tipo carrete
$2.71
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 98En existencias
240En pedido
$22.19
$15.28
$13.84
$13.37
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 44En existencias
2,000En pedido
Cinta cortada
$14.30
$8.96
$8.13
$8.09
Envase tipo carrete
$7.22
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
3,000En pedido
Cinta cortada
$21.62
$14.02
$13.22
$10.80
Envase tipo carrete
$10.79
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 750
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 20En existencias
3,750En pedido
Cinta cortada
$14.04
$8.23
$8.21
$7.33
Envase tipo carrete
$7.33
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 43En existencias
750Se espera el 30/9/2027
Cinta cortada
$7.60
$4.08
$3.74
$3.39
Envase tipo carrete
$3.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 145En existencias
480Se espera el 5/8/2027
$12.68
$7.76
$7.73
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 106En existencias
240Se espera el 21/10/2026
$11.49
$6.29
$5.85
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 78En existencias
720En pedido
$7.99
$5.00
$4.25
$3.72
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
5,973En pedido
Cinta cortada
$10.93
$7.32
$6.23
$5.48
Envase tipo carrete
$5.48
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 148En existencias
720Se espera el 9/10/2026
$32.45
$20.63
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
1,500En pedido
Cinta cortada
$16.01
$9.53
$9.01
Envase tipo carrete
$9.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
750En pedido
Cinta cortada
$9.34
$5.12
$4.71
$4.46
Envase tipo carrete
$4.46
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
452Se espera el 3/12/2026
$18.16
$12.28
$9.71
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
240Se espera el 9/9/2027
$6.75
$3.50
$3.21
$2.89
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Cinta cortada
$33.64
$24.16
$24.14
$23.75
Envase tipo carrete
$21.29
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$3.56
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
$10.30
$6.35
$5.51
$4.81
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel