SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Resultados: 36
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 155,045En existencias
Cinta cortada
$0.29
$0.132
$0.115
$0.085
Envase tipo carrete
$0.056
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: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
182,583En existencias
Cinta cortada
$0.63
$0.284
$0.25
$0.189
Envase tipo carrete
$0.143
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 229,900En existencias
Cinta cortada
$0.52
$0.226
$0.198
$0.147
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$0.10
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A 177,505En existencias
Cinta cortada
$0.19
$0.082
$0.071
$0.052
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$0.035
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 11,524En existencias
Cinta cortada
$0.88
$0.403
$0.356
$0.272
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$0.21
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: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
24,838En existencias
36,000Se espera el 30/10/2026
Cinta cortada
$0.87
$0.609
$0.385
$0.238
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$0.156
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 97,476En existencias
60,000Se espera el 23/10/2026
Cinta cortada
$0.49
$0.216
$0.189
$0.141
Envase tipo carrete
$0.099
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 95,862En existencias
Cinta cortada
$0.53
$0.326
$0.207
$0.156
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$0.117
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 59,321En existencias
Cinta cortada
$0.25
$0.108
$0.094
$0.069
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$0.036
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: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 50,742En existencias
Cinta cortada
$0.46
$0.282
$0.204
$0.179
Envase tipo carrete
$0.099
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 35,968En existencias
12,000En pedido
Cinta cortada
$0.50
$0.222
$0.194
$0.146
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$0.108
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
55,459En existencias
27,000Se espera el 26/10/2026
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$0.60
$0.268
$0.235
$0.177
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$0.134
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET 249,702En existencias
20,000Se espera el 23/10/2026
Cinta cortada
$0.23
$0.102
$0.089
$0.065
Envase tipo carrete
$0.039
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: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
6,998En existencias
Cinta cortada
$0.65
$0.293
$0.257
$0.194
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$0.153
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: 3,000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 7,959En existencias
Cinta cortada
$0.24
$0.106
$0.092
$0.068
Envase tipo carrete
$0.049
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 48,038En existencias
Cinta cortada
$0.23
$0.102
$0.089
$0.065
Envase tipo carrete
$0.047
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
6,859En existencias
Cinta cortada
$0.26
$0.114
$0.099
$0.073
Envase tipo carrete
$0.052
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
3,621En existencias
Cinta cortada
$0.36
$0.159
$0.139
$0.103
Envase tipo carrete
$0.076
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V 6,000En existencias
Cinta cortada
$0.45
$0.198
$0.173
$0.129
Envase tipo carrete
$0.096
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V 3,590En existencias
Cinta cortada
$0.45
$0.198
$0.173
$0.129
Envase tipo carrete
$0.096
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
8,211En existencias
129,000En pedido
Cinta cortada
$0.51
$0.226
$0.198
$0.148
Envase tipo carrete
$0.11
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 2,014En existencias
Cinta cortada
$0.28
$0.125
$0.109
$0.08
Envase tipo carrete
$0.052
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 7,228En existencias
10,000Se espera el 12/10/2026
Cinta cortada
$0.28
$0.125
$0.109
$0.08
Envase tipo carrete
$0.048
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V 2,992En existencias
15,000Se espera el 16/10/2026
Cinta cortada
$0.62
$0.273
$0.239
$0.179
Envase tipo carrete
$0.106
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 27,666En existencias
144,000Se espera el 30/10/2026
Cinta cortada
$0.23
$0.098
$0.086
$0.063
Ver
Envase tipo carrete
$0.033
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel