MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 de ROHM Semiconductor ofrecen una salida de un solo canal con voltaje de drenaje a fuente de 600 V o 650 V en un paquete TO-220FM-3. Los MOSFET R60/R65 cuentan con una temperatura en funcionamiento de -55° C a 150° C y opciones de disipación de potencia de 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 son ideales para aplicaciones de conmutación.

Resultados: 56
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET
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974En existencias
$5.06
$2.63
$2.40
$2.30
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 258A N-CH MOSFET
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487En existencias
$12.71
$7.16
$6.82
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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1,869En existencias
$4.43
$2.27
$2.06
$1.69
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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2,430En existencias
$7.02
$3.95
$3.62
$3.26
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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1,964En existencias
$3.44
$1.94
$1.75
$1.44
$1.35
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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678En existencias
$6.24
$3.29
$3.01
$2.60
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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1,966En existencias
$3.30
$1.86
$1.65
$1.37
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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$3.84
$1.94
$1.76
$1.44
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET
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1,961En existencias
$3.25
$1.76
$1.53
$1.29
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
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3,953En existencias
$4.59
$2.51
$2.29
$1.88
$1.87
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 60A N-CH MOSFET
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366En existencias
$4.98
$3.86
$2.88
$2.42
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 60A N-CH MOSFET
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600En existencias
$7.27
$3.79
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$3.11
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
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$3.06
$1.65
$1.44
$1.21
$1.10
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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$5.83
$3.07
$2.80
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 66A N-CH MOSFET
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579En existencias
$7.47
$3.91
$3.28
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET
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594En existencias
$10.98
$6.55
$6.41
$6.35
$5.95
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
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8,034En existencias
$3.93
$2.07
$1.88
$1.70
Presupuesto
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
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2,894En existencias
$5.21
$3.41
$2.55
$2.13
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4A N-CH MOSFET
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3,803En existencias
$3.09
$1.54
$1.39
$1.18
$1.09
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 155 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3,429En existencias
$4.87
$2.51
$2.29
$1.88
$1.87
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 155 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET
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1,972En existencias
$1.97
$1.28
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 11A N-CH MOSFET
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1,938En existencias
$4.06
$2.08
$1.88
$1.71
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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4,996En existencias
$3.65
$1.86
$1.67
$1.37
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET
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1,970En existencias
$6.86
$3.95
$3.62
$3.26
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET
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1,992En existencias
$6.03
$3.42
$3.12
$2.72
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube