Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR470DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Si
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PowerPAK-SO-8
N-Channel
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40 V
60 A
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20 V
1 V
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104 W
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TrenchFET, PowerPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NS G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
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TDSON-8
N-Channel
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40 V
81 A
5.4 mOhms
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2 V
26 nC
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
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FDP060AN08A0
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512-FDP060AN08A0
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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80 A
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2 V
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PowerTrench
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMS86520
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512-FDMS86520
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
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SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
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PowerTrench
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
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FDP038AN06A0
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512-FDP038AN06A0
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
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TO-220-3
N-Channel
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PowerTrench
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A
IRFIZ48GPBF
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844-IRFIZ48GPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A
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TO-220-3
N-Channel
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60 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB011N04L G
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NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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TO-263-7
N-Channel
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40 V
180 A
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20 V
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OptiMOS
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NDB5060L
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512-NDB5060L
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3
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SMD/SMT
D2PAK-3
N-Channel
1 Channel
60 V
26 A
42 mOhms
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TQM300NB06DCR RLG
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821-TQM300NB06DCRRLG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
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TQM150NB04CR RLG
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821-TQM150NB04CRRLG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
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SMD/SMT
PDFN56U-8
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3.8 V
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
TQM050NB06CR RLG
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821-TQM050NB06CRRLG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
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SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
TQM110NB04DCR RLG
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821-TQM110NB04DCRRLG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
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SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
TQM033NB04CR RLG
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821-TQM033NB04CRRLG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
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SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
1 Channel
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20 V
3.8 V
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
TQM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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821-TQM110NB04CRRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
4,924 En existencias
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Si
SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
1 Channel
40 V
12 A
11 mOhms
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3.8 V
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+ 175 C
3.1 W
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
TQM070NB04CR RLG
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821-TQM070NB04CRRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
5,000 En existencias
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Si
SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
1 Channel
40 V
15 A
7 mOhms
20 V
3.8 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
3.1 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
TQM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser
821-TQM300NB06CRRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
4,196 En existencias
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
1 Channel
60 V
6 A
30 mOhms
20 V
3.8 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
3.1 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
TQM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1:
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N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NB04CRRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
4,700 En existencias
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
1 Channel
40 V
24 A
2.5 mOhms
20 V
3.8 V
118 nC
- 55 C
+ 175 C
3.1 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
TQM250NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1:
$2.06
4,915 En existencias
N.º de artículo de Mouser
821-TQM250NB06DCRRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
4,915 En existencias
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Mult.: 1
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
2 Channel
60 V
6 A
25 mOhms
20 V
3.8 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
1:
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N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF55-06
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
1,444 En existencias
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1,000
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
6.5 mOhms
20 V
2 V
189 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
+1 imagen
FDB050AN06A0
onsemi
1:
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2,565 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDB050AN06A0
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
2,565 En existencias
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Mult.: 1
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800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
4.3 mOhms
20 V
2 V
80 nC
- 55 C
+ 175 C
245 W
Enhancement
PowerTrench
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
+1 imagen
FDD10AN06A0
onsemi
1:
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N.º de artículo de Mouser
512-FDD10AN06A0
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
5,787 En existencias
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2,500
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
9.4 mOhms
20 V
2 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
135 W
Enhancement
PowerTrench
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench
+1 imagen
FDP050AN06A0
onsemi
1:
$3.71
1,377 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDP050AN06A0
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench
1,377 En existencias
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
5 mOhms
20 V
2 V
80 nC
- 55 C
+ 175 C
245 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220AB N-Ch Power
+1 imagen
RFP12N10L
onsemi
1:
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3,963 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-RFP12N10L
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220AB N-Ch Power
3,963 En existencias
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Máx.: 800
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
12 A
200 mOhms
10 V
1 V
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.22
48,548 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N04LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
48,548 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
14.2 mOhms
20 V
1.2 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
PSMN014-40YS,115
Nexperia
1:
$1.12
8,941 En existencias
16,500 Se espera el 20/10/2026
N.º de artículo de Mouser
771-PSMN01440YS115
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
8,941 En existencias
16,500 Se espera el 20/10/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-669-5
N-Channel
1 Channel
40 V
32 A
14 mOhms
20 V
4 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
56 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel