Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 106

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.10 3,563En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE013N04LM6SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE013N04LM6SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	3,563En existencias	Cinta cortada $4.10 $2.08 $1.89 $1.57 $1.48 Envase tipo carrete $1.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	31 A	1.35 mOhms	20 V	2 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.40 10,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC010N04NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SC010N04NM6ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	10,000En existencias	Cinta cortada $2.40 $1.17 $1.06 $0.85 Ver Envase tipo carrete $0.655 $0.849 $0.834 $0.655 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	285 A	1 mOhms	20 V	2.8 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V ISC012N04LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.28 19,263En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC012N04LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC012N04LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	19,263En existencias	Cinta cortada $2.28 $1.11 $0.99 $0.789 Envase tipo carrete $0.61 Ver $0.74 $0.692 $0.573	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	238 A	1.2 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.66 8,752En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	8,752En existencias	Cinta cortada $1.66 $0.784 $0.699 $0.549 Ver Envase tipo carrete $0.427 $0.545 $0.508 $0.427	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUC45N04S6N070HATMA1 Infineon Technologies 1: $1.93 7,213En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IAUC45N04S6N070HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC45N04S6N070H NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	7,213En existencias	Cinta cortada $1.93 $0.922 $0.785 $0.651 Ver Envase tipo carrete $0.524 $0.635 $0.623 $0.524 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	55 A	7 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon Technologies 1: $1.85 8,652En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IAUC45N04S6L063HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC45N04S6L063H NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	8,652En existencias	Cinta cortada $1.85 $1.10 $0.77 $0.656 Envase tipo carrete $0.537 Ver $0.588 $0.566 $0.531	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	59 A	6.3 mOhms	16 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUA250N04S6N007AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.86 1,432En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IAUA250N04S6N007AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUA250N04S6N007 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	1,432En existencias	Cinta cortada $4.86 $3.58 $2.75 $2.42 $2.03 Envase tipo carrete $1.84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-5	N-Channel	1 Channel	40 V	250 A	700 uOhms	20 V	2.6 V	127 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.53 5,000En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IAUC60N04S6N031HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC60N04S6N031H NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada $2.53 $1.34 $1.15 $0.963 Ver Envase tipo carrete $0.804 $0.895 $0.847 $0.804	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	113 A	3.1 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.93 25,682En existencias 40,000Se espera el 18/2/2027	N.º de artículo del Fabricante ISC230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	25,682En existencias 40,000Se espera el 18/2/2027	Cinta cortada $1.93 $1.09 $0.80 $0.665 Ver Envase tipo carrete $0.445 $0.623 $0.572 $0.445 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.17 1,572En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IAUC60N04S6N050HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC60N04S6N050H NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	1,572En existencias	Cinta cortada $2.17 $1.05 $0.901 $0.744 Ver Envase tipo carrete $0.62 $0.69 $0.645 $0.62	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	74 A	5 mOhms	16 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	52 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK IPB014N08NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.95 987En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB014N08NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB014N08NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	987En existencias	Cinta cortada $6.95 $4.56 $3.36 $2.98 Envase tipo carrete $2.67	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin IPF011N08NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.25 1,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPF011N08NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF011N08NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	1,000En existencias	Cinta cortada $7.25 $3.88 $3.55 $3.37 Envase tipo carrete $2.79 $2.74	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL IPT009N08NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $10.18 951En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPT009N08NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N08NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	951En existencias	Cinta cortada $10.18 $5.62 $5.28 $4.99 Envase tipo carrete $4.99	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE020N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.67 3,936En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	3,936En existencias	Cinta cortada $2.67 $1.31 $1.18 $0.942 Ver Envase tipo carrete $0.824 $0.922 $0.894 $0.824	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE020N04LM6CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $2.92 4,712En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4,712En existencias	Cinta cortada $2.92 $1.45 $1.30 $1.05 Ver Envase tipo carrete $0.809 $0.987 $0.953 $0.809	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V IQE036N08NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.98 6,067En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE036N08NM6CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE036N08NM6CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	6,067En existencias	Cinta cortada $3.98 $2.02 $1.83 $1.51 $1.45 Envase tipo carrete $1.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V IQE036N08NM6SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.93 6,064En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE036N08NM6SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE036N08NM6SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	6,064En existencias	Cinta cortada $3.93 $2.34 $1.76 $1.44 Envase tipo carrete $1.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC009N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.69 7,582En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC009N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC009N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	7,582En existencias	Cinta cortada $4.69 $2.41 $2.19 $1.88 $1.81 Envase tipo carrete $1.77	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	344 A	900 uOhms	20 V	3.3 V	97 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V ISC025N08NM6SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.47 683En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM6SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM6SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	683En existencias	Cinta cortada $5.47 $2.85 $2.60 $2.31 Ver Envase tipo carrete $1.88 $2.23 $2.17 $1.88	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	170 A	2.5 mOhms	20 V	3.5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.48 8,110En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC060N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	8,110En existencias	Cinta cortada $1.48 $0.695 $0.618 $0.483 Envase tipo carrete $0.357 Ver $0.479 $0.468 $0.326	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	62 A	6 mOhms	20 V	3.3 V	12.4 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISZ025N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.49 4,383En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISZ025N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ025N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4,383En existencias	Cinta cortada $2.49 $1.22 $1.09 $0.87 Ver Envase tipo carrete $0.749 $0.845 $0.82 $0.749	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	137 A	2.5 mOhms	20 V	3.3 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220 IPP014N08NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $6.64 420En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP014N08NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP014N08NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	420En existencias	$6.64 $4.46 $3.22 $2.80	Min.: 1 Mult.: 1	Si															OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V IQE036N08NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.75 870En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE036N08NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE036N08NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	870En existencias	Cinta cortada $3.75 $1.92 $1.71 $1.41 Ver Envase tipo carrete $1.24 $1.36 $1.31 $1.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V IQE036N08NM6CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.85 240En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE036N08NM6CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE036N08NM6CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	240En existencias	Cinta cortada $3.85 $1.94 $1.75 $1.43 Ver Envase tipo carrete $1.24 $1.40 $1.37 $1.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V ISC025N08NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.48 665En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 80v power mosfets	Hoja de datos	665En existencias	Cinta cortada $3.48 $1.74 $1.58 $1.28 Ver Envase tipo carrete $1.17 $1.27 $1.22 $1.17	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	171 A	2.5 mOhms	20 V	3.5 V	80 V	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape