Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications IAUCN04S7N010GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.28 3,491En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N010GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N010GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	3,491En existencias	Cinta cortada $2.28 $1.28 $0.973 $0.788 Ver Envase tipo carrete $0.687 $0.774 $0.687 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-THSOG-4-1	N-Channel	1 Channel	40 V	252 A	1.04 mOhms	20 V	3 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L023HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.63 2,411En existencias 5,000Se espera el 22/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L023HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L023HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	2,411En existencias 5,000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada $2.63 $1.29 $1.16 $0.925 Ver Envase tipo carrete $0.806 $0.887 $0.839 $0.806 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	132 A	2.34 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L025AHATMA1 Infineon Technologies 1: $2.37 5,880En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L025AHATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L025AHA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5,880En existencias	Cinta cortada $2.37 $1.15 $1.03 $0.821 Ver Envase tipo carrete $0.698 $0.797 $0.727 $0.698	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	127 A	2.56 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L018DATMA1 Infineon Technologies 1: $3.02 995En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L018DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L018DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	995En existencias	Cinta cortada $3.02 $1.50 $1.35 $1.09 Ver Envase tipo carrete $0.976 $1.06 $1.04 $0.976	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	166 A	2.36 mOhms	16 V	1.8 V\	43 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L024DATMA1 Infineon Technologies 1: $2.57 782En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L024DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L024DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	782En existencias	Cinta cortada $2.57 $1.26 $1.13 $0.905 Ver Envase tipo carrete $0.785 $0.881 $0.855 $0.785	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	125 A	3.26 mOhms	16 V	1.8 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	72 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L037HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.15 451En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L037HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L037HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	451En existencias	Cinta cortada $2.15 $1.04 $0.933 $0.738 Ver Envase tipo carrete $0.613 $0.683 $0.638 $0.613	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	84 A	3.78 mOhms	16 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L038DATMA1 Infineon Technologies 1: $2.30 608En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L038DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L038DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	608En existencias	Cinta cortada $2.30 $0.986 $0.882 $0.699 Ver Envase tipo carrete $0.574 $0.682 $0.63 $0.574	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	84 A	5.54 mOhms	16 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	51 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7L042GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.43 1,976En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L042GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L042GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,976En existencias	Cinta cortada $1.43 $0.668 $0.594 $0.463 Envase tipo carrete $0.347 Ver $0.455 $0.435 $0.311 $0.31	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	77 A	4.4 mOhms	20 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N015GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.91 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N015GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N015GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada $1.91 $0.914 $0.817 $0.645 Ver Envase tipo carrete $0.521 $0.624 $0.595 $0.521	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	184 A	1.53 mOhms	20 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N019GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.73 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N019GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N019GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada $1.73 $0.823 $0.734 $0.577 Ver Envase tipo carrete $0.454 $0.551 $0.526 $0.454	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	147 A	1.95 mOhms	20 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	81 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.63 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N027GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N027GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada $1.63 $0.77 $0.686 $0.538 $0.515 Envase tipo carrete $0.417	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	117 A	2.67 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N037GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.49 1,992En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N037GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N037GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,992En existencias	Cinta cortada $1.49 $0.701 $0.624 $0.488 Ver Envase tipo carrete $0.369 $0.485 $0.461 $0.369	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	91 A	3.65 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N047GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.43 1,912En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N047GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N047GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,912En existencias	Cinta cortada $1.43 $0.668 $0.594 $0.463 Envase tipo carrete $0.347 Ver $0.455 $0.44 $0.342	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	79 A	4.7 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N004ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.81 350En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N004ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N004ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	350En existencias	Cinta cortada $5.81 $3.04 $2.78 $2.51 $2.42 Envase tipo carrete $2.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	605 A	0.38 mOhms	20 V	3 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	255 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.80 350En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N005ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N005ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	350En existencias	Cinta cortada $5.80 $3.29 $2.84 $2.21 Envase tipo carrete $1.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	517 A	0.44 mOhms	20 V	3 V	127 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies 1: $3.90 11,327En existencias 2,000Se espera el 19/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N006TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N006TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	11,327En existencias 2,000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada $3.90 $1.97 $1.79 $1.47 Envase tipo carrete $1.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-3	N-Channel	1 Channel	40 V	425 A	770 uOhms	20 V	3 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7L050HATMA1 Infineon Technologies 1: $1.93 5,289En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L050HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L050HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5,289En existencias	Cinta cortada $1.93 $1.23 $0.822 $0.65 $0.556 Envase tipo carrete $0.519	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	65 A	5.04 mOhms	20 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N054HATMA1 Infineon Technologies 1: $1.93 6,133En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N054HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N054HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	6,133En existencias	Cinta cortada $1.93 $0.92 $0.822 $0.65 Ver Envase tipo carrete $0.519 $0.63 $0.60 $0.519	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	62 A	5.41 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7L012ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.01 4,768En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L012ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L012ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	4,768En existencias	Cinta cortada $2.01 $0.962 $0.86 $0.73 Ver Envase tipo carrete $0.556 $0.695 $0.691 $0.556	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	199 A	1.25 mOhms	16 V	1.8 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7L030ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.45 20,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L030ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L030ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	20,000En existencias	Cinta cortada $1.45 $0.679 $0.604 $0.471 Ver Envase tipo carrete $0.354 $0.465 $0.443 $0.354	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	3.05 mOhms	16 V	1.8 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	58 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology IAUZN04S7L046ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.38 26,802En existencias 20,000Se espera el 20/5/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L046ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L046ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	26,802En existencias 20,000Se espera el 20/5/2027	Cinta cortada $1.38 $0.644 $0.571 $0.444 Envase tipo carrete $0.322 Ver $0.421 $0.40 $0.306	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology IAUZN04S7N026ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.54 11,111En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7N026ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7N026ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	11,111En existencias	Cinta cortada $1.54 $0.723 $0.591 $0.514 Envase tipo carrete $0.405 Ver $0.509 $0.392 $0.341	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7N032ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.45 4,993En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7N032ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7N032ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	4,993En existencias	Cinta cortada $1.45 $0.679 $0.604 $0.471 Envase tipo carrete $0.353 Ver $0.465 $0.444 $0.317	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	97 A	3.25 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	58 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N040HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.15 927En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N040HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N040HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	927En existencias	Cinta cortada $2.15 $1.04 $0.929 $0.738 Ver Envase tipo carrete $0.613 $0.707 $0.683 $0.613	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	82 A	4.01 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	52 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7L019ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.78 878En existencias 5,000Se espera el 3/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L019ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L019ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	878En existencias 5,000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada $1.78 $0.848 $0.757 $0.596 Ver Envase tipo carrete $0.473 $0.568 $0.519 $0.473	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	154 A	1.9 mOhms	16 V	1.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape