Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT65R65AL
STMicroelectronics
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511-SGT65R65AL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerFLAT-4
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GaN Si
-
-
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT
QPD2120D
Qorvo
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772-QPD2120D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
pHEMT
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
QPD1028
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QPD1028
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
HEMT
GaN SiC
1.2 GHz to 1.4 GHz
750 W
- 40 C
+ 85 C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor
QPD0005MTR13
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor
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RF JFET Transistors
4.5 mm x 4 mm
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT
QPD2040D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
0.41 m x 0.34 mm
pHEMT
GaAs
13 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT
QPD2018D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
0.41 mm x 0.34 mm
pHEMT
GaAs
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Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT
QPD2060D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
pHEMT
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan
QPD1028L
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
HEMT
GaN SiC
1.2 GHz to 1.4 GHz
750 W
- 40 C
+ 85 C
19.8 dB
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT
QPD2160D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
pHEMT
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
QPD1016L
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772-QPD1016L
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
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RF JFET Transistors
Flange Mount
NI-780
JFET
GaN SiC
DC to 1.7 GHz
537 W
18 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
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841-MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
Si
960 MHz to 1.215 GHz
27.5 W
+ 150 C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc.
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873-SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc.
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
46,088 En existencias
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
SC-70-4
pHEMT
GaAs
- 40 C
+ 85 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
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841-MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
88 En existencias
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25:
$151.96
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-1230-4L
LDMOS FET
Si
1.8 MHz to 500 MHz
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
23 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
1:
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841-MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
94 En existencias
1:
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$421.46
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$408.38
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RF MOSFET Transistors
Flange Mount
GaN SiC
1 MHz to 2.7 GHz
125 W
- 55 C
+ 150 C
16 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT
QPD2025D
Qorvo
100:
$9.34
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Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-QPD2025D
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT
100 En existencias
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RF JFET Transistors
pHEMT
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
A5G35H120NT2
NXP Semiconductors
Disponibilidad restringida
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
771-A5G35H120NT2
Nuevo producto
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
DFN-10
GaN Si
3.3 GHz to 3.7 GHz
18 W
- 55 C
+ 150 C
14.1 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1:
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
20 En existencias
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
LBB-5
LDMOS FET
Si
1 GHz
120 W
-
+ 200 C
20 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
QPD1425L
Qorvo
1:
$540.00
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Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1425L
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
24 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Flange Mount
NI-400
GaN SiC
2 GHz
56.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
20.6 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1:
$145.20
112 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
112 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
B4E-5
LDMOS FET
Si
1 GHz
400 W
-
+ 200 C
19 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
QPD1425
Qorvo
1:
$540.00
22 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
QPD1425
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1425
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
22 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Flange Mount
NI-400
GaN SiC
2 GHz
56.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
20.6 dB
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
TGF2965-SM
Qorvo
1:
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888 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2965-SM
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
888 En existencias
1:
$63.81
25:
$45.78
100:
$38.94
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
QFN-16
HEMT
GaN SiC
30 MHz to 3 GHz
6 W
18 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
2SK3075(TE12L,Q)
Toshiba
1:
$6.43
8,376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SK3075TE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
8,376 En existencias
1:
$6.43
10:
$5.40
25:
$5.10
100:
$4.37
1,000:
$3.32
2,000:
Ver
250:
$4.13
500:
$3.88
2,000:
$3.12
5,000:
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PW-X-4
Si
520 MHz
7.5 W
-
+ 150 C
11.7 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
TGF3021-SM
Qorvo
1:
$186.82
140 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-TGF3021-SM
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
140 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
QFN-20
GaN SiC
30 MHz to 4 GHz
30 W
-
-
19.3 dB
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
MRF422
MACOM
1:
$118.43
623 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
MRF422
N.º de artículo de Mouser
937-MRF422
MACOM
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
623 En existencias
1:
$118.43
10:
$109.66
20:
$105.64
60:
$102.43
100:
Ver
100:
$100.84
260:
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
Screw Mount
211-11
Bipolar Power
Si
30 MHz
- 65 C
+ 150 C
Tray