Transistores de RF

 Transistores de RF
RF Transistors are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many RF transistor manufacturers including Fairchild, Infineon, M/A-COM, NXP, STMicroelectronics & more. Please view our large selection of RF transistors below.
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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD)Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Calificación Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerFLAT-4 1 GaN Si - - - 55 C + 150 C - Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT 700En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

RF JFET Transistors pHEMT Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT NI-780 HEMT GaN SiC 1.2 GHz to 1.4 GHz 750 W - 40 C + 85 C 19.8 dB
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor 2,392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

RF JFET Transistors 4.5 mm x 4 mm HEMT GaN SiC 2.5 GHz to 5 GHz 37.7 dBm 18.6 dB Reel, Cut Tape
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT 600En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT 900En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors 0.41 m x 0.34 mm pHEMT GaAs 13 dB Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT 300En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm pHEMT GaAs 14 dB Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT 200En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan 16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT NI-780 HEMT GaN SiC 1.2 GHz to 1.4 GHz 750 W - 40 C + 85 C 19.8 dB
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT 300En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr 20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors Flange Mount NI-780 JFET GaN SiC DC to 1.7 GHz 537 W 18 dB
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H 41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-780 Si 960 MHz to 1.215 GHz 27.5 W + 150 C 20.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Skyworks Solutions, Inc. Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz 46,088En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

RF JFET Transistors SMD/SMT SC-70-4 pHEMT GaAs - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 88En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT OM-1230-4L LDMOS FET Si 1.8 MHz to 500 MHz 1.5 kW - 40 C + 150 C 23 dB Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V 94En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors Flange Mount GaN SiC 1 MHz to 2.7 GHz 125 W - 55 C + 150 C 16 dB Reel, Cut Tape
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V

RF MOSFET Transistors SMD/SMT DFN-10 GaN Si 3.3 GHz to 3.7 GHz 18 W - 55 C + 150 C 14.1 dB Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 LDMOS FET Si 1 GHz 120 W - + 200 C 20 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete 24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Flange Mount NI-400 GaN SiC 2 GHz 56.3 dBm - 40 C + 85 C 20.6 dB
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 LDMOS FET Si 1 GHz 400 W - + 200 C 19 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete 22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Flange Mount NI-400 GaN SiC 2 GHz 56.3 dBm - 40 C + 85 C 20.6 dB
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT QFN-16 HEMT GaN SiC 30 MHz to 3 GHz 6 W 18 dB Tray
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS 8,376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PW-X-4 Si 520 MHz 7.5 W - + 150 C 11.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr 140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT QFN-20 GaN SiC 30 MHz to 4 GHz 30 W - - 19.3 dB
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB 623En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray