20 A Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Hoja de datos
255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 125 V 175 MHz 14 dB 150 W + 200 C Screw Mount Bulk


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Hoja de datos
503En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 125 V 230 MHz 15 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Hoja de datos
11Se espera el 20/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 80 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 200 V 250 MHz 14.8 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
Microchip Technology VRF161MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 180 V 150 MHz 24 dB 200 W - 65 C + 150 C Screw Mount
MACOM DU28200M
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 65 V 175 MHz 13 dB 200 W + 200 C Screw Mount