STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 2,957En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 75 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 50 C + 150 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 80 Amp 2,067En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 117 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.012 Ohm 30A 1,633En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 1,528En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 5 Amp 4,428En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 5 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II 5,822En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 7.5 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 887En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 75 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 50 C + 150 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 45En existencias
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Si N-Channel 650 V 32 A 89 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET 770En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 224En existencias
2,500Se espera el 17/8/2026
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 816En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8 401En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET 101En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 1,060En existencias
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Si Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 888En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 82En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 40 Amp 1,360En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 18 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 461En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 203En existencias
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Si SMD/SMT PowerSO-10RF-2 N-Channel 1 Channel 65 V 2.5 A 760 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 65 C + 165 C 31.7 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 1,951En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V 2,000En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH 1,888En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 1,633En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE 2,295En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 1,784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel