STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
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923En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 100 V 4.5 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
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654En existencias
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Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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59En existencias
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Carrete: 600

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 Ohms - 25 V, 25 V 4.75 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
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2,805En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 2 Channel 40 V 18 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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1,075En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7.5 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp
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1,412En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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1,632En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp
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1,981En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
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2,222En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.5 A 1.8 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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2,265En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 1.06 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
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2,977En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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981En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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958En existencias
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 160 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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2,800En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 415 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 13 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
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2,984En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 550 V 22.5 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
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2,086En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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855En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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1,797En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 1.06 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A
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488En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 7.5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 48 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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2,998En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 530 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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661En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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439En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
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667En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 900 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
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967En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
Hoja de datos
1,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel