NTR4003N Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V .56A 1500M 348,611En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 560 mA 1.5 Ohms - 20 V, + 20 V 800 mV 1.15 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V .56A 1500M
80,573En pedido
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 560 mA 1.5 Ohms - 20 V, + 20 V 800 mV 1.15 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V .56A 1500M 7,176En existencias
10,000Se espera el 15/5/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 1.5 Ohms - 20 V, + 20 V 1.4 V 1.15 nC - 55 C + 150 C 830 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel