Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

STP34NM60ND
STMicroelectronics
1: $9.12
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

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662En existencias

$9.12

$6.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

80.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: $7.51
5,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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5,313En existencias

$7.51

$4.10

$3.76

$3.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STF10NM60ND
STMicroelectronics
1: $2.63
946En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60ND

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511-STF10NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

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946En existencias

$2.63

$1.32

$1.19

$1.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A

STB34NM60ND
STMicroelectronics
1: $11.29
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A

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Cinta cortada

$11.29

$7.83

$6.61

Envase tipo carrete

$6.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50FD
STMicroelectronics
1: $7.99
374En existencias

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STP20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

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374En existencias

$7.99

$4.34

$3.99

$3.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STW20NM50FD
STMicroelectronics
1: $8.11
504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

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504En existencias

$8.11

$5.17

$4.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

53 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60FD
STMicroelectronics
1: $7.21
830En existencias

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STW20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

830En existencias

$7.21

$4.16

$3.48

$3.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

37 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
1: $6.99
2,058En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50FDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50FD

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

2,058En existencias

Cinta cortada

$6.99

$4.72

$3.51

Envase tipo carrete

$3.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STP11NM60ND
STMicroelectronics
1: $5.04
495En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

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495En existencias

$5.04

$2.64

$2.29

$2.09

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STD10NM60ND
STMicroelectronics
1: $2.85
857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

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857En existencias

Cinta cortada

$2.85

$1.84

$1.29

$1.06

$0.988

Envase tipo carrete

$0.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD

STW34NM60ND
STMicroelectronics
1: $11.30
765En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD

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Hoja de datos

765En existencias

$11.30

$6.76

$6.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

80.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

STF11NM60ND
STMicroelectronics
1: $5.20
107En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

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Hoja de datos

107En existencias

$5.20

$2.78

$2.49

$2.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STD11NM60ND
STMicroelectronics
1: $4.57
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

$4.57

$3.04

$2.20

$2.12

$1.95

Envase tipo carrete

$1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II

STF34NM60ND
STMicroelectronics
1,000: $5.54
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

$5.54

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

80.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

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