DI010N03PW N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DI010N03PW N-Channel Power MOSFETs offer a low on-state resistance, a low gate charge (25nC typical), and fast switching times with an Avalanche rating. With a wide -55°C to +150°C junction temperature range, these components offer a 30V drain-source voltage, 1.4W power dissipation, and 20mJ single pulse avalanche energy. The QFN2x2 packaged DI010N03PW MOSFETs are for DC/DC converters, load switches, power management units, battery-powered devices, and commercial/industrial-grade applications.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101 4,075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT PowerQFN 2x2 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 DI010N03PW-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N 6,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT PowerQFN 2x2 N-Channel 1 Channel 30 V 7 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement DI010N03PW Reel, Cut Tape, MouseReel