|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
- STL130N8F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.66
-
7,064En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N8F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
|
|
7,064En existencias
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.11
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
- STL16N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.02
-
3,326En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
|
|
3,326En existencias
|
|
|
$3.02
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.992
|
|
|
$0.923
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL24N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.10
-
7,722En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
7,722En existencias
|
|
|
$4.10
|
|
|
$2.69
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.46
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.41
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- STP11NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$4.56
-
1,973En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
|
|
1,973En existencias
|
|
|
$4.56
|
|
|
$3.17
|
|
|
$3.02
|
|
|
$2.83
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.80
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
- STP14NK50Z
- STMicroelectronics
-
1:
$5.15
-
681En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
|
|
681En existencias
|
|
|
$5.15
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.90
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.86
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A
- STP14NK60ZFP
- STMicroelectronics
-
1:
$4.94
-
761En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK60ZFP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A
|
|
761En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
- STP15N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.88
-
934En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP15N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
|
|
934En existencias
|
|
|
$4.88
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.50
|
|
|
$2.24
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP20N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.25
-
1,644En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
1,644En existencias
|
|
|
$5.25
|
|
|
$3.62
|
|
|
$3.47
|
|
|
$3.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.32
|
|
|
$3.30
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
- STP21N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.29
-
1,395En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP21N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
|
|
1,395En existencias
|
|
|
$7.29
|
|
|
$3.97
|
|
|
$3.64
|
|
|
$3.08
|
|
|
$3.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
- STP270N8F7
- STMicroelectronics
-
1:
$5.27
-
839En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP270N8F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
|
|
839En existencias
|
|
|
$5.27
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.47
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.15
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp
- STP55NF06
- STMicroelectronics
-
1:
$1.84
-
5,870En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP55NF06
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp
|
|
5,870En existencias
|
|
|
$1.84
|
|
|
$0.712
|
|
|
$0.627
|
|
|
$0.594
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.584
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A
- STQ1NK80ZR-AP
- STMicroelectronics
-
1:
$1.27
-
5,207En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STQ1NK80ZR-AP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A
|
|
5,207En existencias
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.795
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.339
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.307
|
|
|
$0.278
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
- STW45N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.70
-
515En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW45N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
|
|
515En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- STW65N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$6.92
-
508En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
508En existencias
|
|
|
$6.92
|
|
|
$4.84
|
|
|
$3.90
|
|
|
$3.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
- BUL38D
- STMicroelectronics
-
1:
$1.88
-
3,515En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BUL38D
N.º de artículo de Mouser
511-BUL38D
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
|
|
3,515En existencias
|
|
|
$1.88
|
|
|
$0.90
|
|
|
$0.805
|
|
|
$0.637
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.514
|
|
|
$0.502
|
|
|
$0.489
|
|
|
$0.481
|
|
|
$0.474
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
- BUL741
- STMicroelectronics
-
1:
$1.39
-
12,934En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BUL741
N.º de artículo de Mouser
511-BUL741
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
|
|
12,934En existencias
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.331
|
|
|
$0.318
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
- SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics
-
1:
$16.02
-
2,329En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTL35N65G2V
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
|
|
2,329En existencias
|
|
|
$16.02
|
|
|
$11.32
|
|
|
$10.41
|
|
|
$10.40
|
|
|
Ver
|
|
|
$8.50
|
|
|
$10.39
|
|
|
$8.50
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
- STB14NK50ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.50
-
6,137En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
|
|
6,137En existencias
|
|
|
$3.50
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.06
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.98
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
- STB28N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.25
-
2,032En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
|
|
2,032En existencias
|
|
|
$4.25
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STB45N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.43
-
939En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
939En existencias
|
|
|
$7.43
|
|
|
$5.13
|
|
|
$3.90
|
|
|
$3.89
|
|
|
$3.18
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
- STD16N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.84
-
2,734En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
|
|
2,734En existencias
|
|
|
$2.84
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.856
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.959
|
|
|
$0.847
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
- STD1NK60-1
- STMicroelectronics
-
1:
$1.62
-
4,053En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
|
|
4,053En existencias
|
|
|
$1.62
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.559
|
|
|
$0.513
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.457
|
|
|
$0.405
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.396
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
- STD2N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.09
-
2,969En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
|
|
2,969En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.906
|
|
|
$0.721
|
|
|
$0.596
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.684
|
|
|
$0.558
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
- STD5N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.69
-
6,550En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
|
|
6,550En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.725
|
|
|
$0.571
|
|
|
$0.442
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.429
|
|
|
$0.413
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
- STD7ANM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$2.20
-
3,498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD7ANM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
|
|
3,498En existencias
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.41
|
|
|
$0.955
|
|
|
$0.762
|
|
|
$0.632
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.597
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|