|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N050DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.31
-
186En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
186En existencias
|
|
|
$6.31
|
|
|
$4.47
|
|
|
$4.47
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
- STWA60N035M9
- STMicroelectronics
-
1:
$8.22
-
278En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
|
|
278En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
- LEO1N5822AF
- STMicroelectronics
-
1:
$12.91
-
42En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-LEO1N5822AF
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
|
|
42En existencias
|
|
|
$12.91
|
|
|
$10.51
|
|
|
$8.84
|
|
|
$7.51
|
|
|
$7.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOD-128-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$5.87
-
248En existencias
-
600Se espera el 12/5/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
248En existencias
600Se espera el 12/5/2026
|
|
|
$5.87
|
|
|
$4.70
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.37
|
|
|
$2.99
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
- STPSC4G065D
- STMicroelectronics
-
1:
$2.11
-
1,966En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC4G065D
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
|
|
1,966En existencias
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.25
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.705
|
|
|
$0.703
|
|
|
$0.696
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-220AC-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
- STL059N4S8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.58
-
131En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL059N4S8AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
|
|
131En existencias
|
|
|
$3.58
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
- STPSC10G065DY
- STMicroelectronics
-
1:
$3.64
-
998En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC10G065DY
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
|
|
998En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.46
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-220AC-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N065DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$5.76
-
199En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
199En existencias
|
|
|
$5.76
|
|
|
$4.61
|
|
|
$4.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
- STPSC6G065D
- STMicroelectronics
-
1:
$2.42
-
927En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC6G065D
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
|
|
927En existencias
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.877
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.764
|
|
|
$0.759
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-220AC-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
- STN3NF06L
- STMicroelectronics
-
1:
$1.59
-
45,389En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
|
|
45,389En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.674
|
|
|
$0.53
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.484
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.439
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-11W
- STMicroelectronics
-
1:
$115.84
-
255En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
255En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 64 V TVS
- SMC30J64A
- STMicroelectronics
-
1:
$1.21
-
3,962En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SMC30J64A
|
STMicroelectronics
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 64 V TVS
|
|
3,962En existencias
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.941
|
|
|
$0.659
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.478
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SMC (DO-214AB)
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.17
-
1,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,482En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
- STD18NF25
- STMicroelectronics
-
1:
$2.79
-
17,382En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
|
|
17,382En existencias
|
|
|
$2.79
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.42
-
42,162En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
42,162En existencias
|
|
|
$1.42
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.595
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.375
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
- TN3050HP-12L2Y
- STMicroelectronics
-
1:
$4.92
-
568En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN3050HP-12L2Y
|
STMicroelectronics
|
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
|
|
568En existencias
|
|
|
$4.92
|
|
|
$4.03
|
|
|
$3.52
|
|
|
$3.26
|
|
|
$2.94
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.86
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
HUPAK-9
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.31
-
2,421En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,421En existencias
|
|
|
$4.31
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
- STL320N4LF8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.98
-
4,580En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
4,580En existencias
|
|
|
$2.98
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.04
|
|
|
$1.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
- STGYA50M120DF3
- STMicroelectronics
-
1:
$5.77
-
1,142En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50M120DF3
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
|
|
1,142En existencias
|
|
|
$5.77
|
|
|
$4.20
|
|
|
$4.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
- STL60N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.87
-
26,971En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
|
|
26,971En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.802
|
|
|
$0.635
|
|
|
$0.586
|
|
|
$0.539
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
- STD47N10F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.43
-
18,460En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
|
|
18,460En existencias
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.827
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.827
|
|
|
$0.825
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
- STTH200R04TV1
- STMicroelectronics
-
1:
$24.69
-
1,273En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STTH200R04TV1
|
STMicroelectronics
|
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
|
|
1,273En existencias
|
|
|
$24.69
|
|
|
$18.24
|
|
|
$18.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
SMD/SMT
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
- STTH25M06B-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
48,988En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STTH25M06B-TR
|
STMicroelectronics
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
|
|
48,988En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.634
|
|
|
$0.582
|
|
|
$0.493
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.38
-
3,786En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,786En existencias
|
|
|
$8.38
|
|
|
$6.03
|
|
|
$5.27
|
|
|
$5.26
|
|
|
$5.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.13
-
6,491En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
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STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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6,491En existencias
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$11.13
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$7.75
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$7.13
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$7.12
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$7.09
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Si
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Formed-4
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