STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
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1,841En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
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1,107En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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427En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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454En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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556En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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352En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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589En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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596En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
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1,620En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
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1,962En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
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498En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2,487En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
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2,461En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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2,304En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5 Dual N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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124En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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127En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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320En existencias
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GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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796En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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2,441En existencias
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MOSFETs Si
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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2,258En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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600Se espera el 20/4/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel