STMicroelectronics PowerMESH Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
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1,176En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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146En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
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199En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
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565En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3


STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
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4,058En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole IPAK-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
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1,983En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
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2,808En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
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815En existencias
1,000Se espera el 13/4/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
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1,497En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
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3,412En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
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1,190En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
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518En existencias
600Se espera el 13/4/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
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589En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
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544En existencias
2,100En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
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354En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
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1En existencias
100Se espera el 24/8/2026
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IGBT Modules Si Through Hole ISOTOP-4
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
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1,004En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBTs N Ch 10A 600V
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Carrete: 2,500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)