XP Serie Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Renesas Electronics Herramientas de desarrollo para temporizador y reloj XP-EVK ProXO EVK for Ceramic Package
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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2,997En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
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2,999En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
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2,846En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
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999En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
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3,000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
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2,960En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
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2,995En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
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2,982En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
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1,997En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
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3,000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
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1,000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220
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1,758En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
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2,952En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
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967En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
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3,000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252
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2,925En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
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2,845En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6
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2,995En existencias
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