Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL 1,069En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 560En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL 1,452En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO 4,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 422 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 143 nC - 55 C + 175 C 284 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 25,406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 22.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION 4,343En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 554.5 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 245.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM 66,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 8,807En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms 6,837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 16,878En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 2,911En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL 11,766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK 3,446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 101 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.3 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1,531En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 2,176En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 13,982En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 10,243En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel 2,847En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 8,179En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 2,864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 3,871En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 1,447En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 5,322En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 1,960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel