STMicroelectronics IGBTs

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
2,258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Hoja de datos
140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Hoja de datos
478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube