STGF15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF15M65DF2
STGF15M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
31 W
- 55 C
+ 175 C
STGF15M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 30 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 2.300 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

En existencias: 3

Existencias:
3 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.25 $2.25
$1.05 $10.50
$0.837 $83.70
$0.714 $357.00
$0.663 $663.00
$0.618 $1,236.00

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