QPA2962 2GHz to 20GHz 10W GaN Amplifier

Qorvo QPA2962 2GHz to 20GHz 10W GaN Amplifier is a wideband power amplifier fabricated on Qorvo's QGaN15 GaN on silicon carbide (SiC) process. The amplifier operates from 2GHz to 20GHz frequency bandwidth and provides 10W of saturated power with 13dB large signal gain with 22% power-added efficiency at 22V drain bias. QPA2962 features RF ports that are matched to 50Ω and include integrated DC blocking capacitors and an RF choke. Qorvo QPA2962 2GHz to 20GHz 10W GaN Amplifier is available in a 5mm x 5mm air cavity laminate package and is ideal for wideband communications systems, electronic warfare, test instrumentation, and radar applications for both military and commercial markets.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Tecnología
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 2-20 GHz 10 W GaN Amp
Hoja de datos
32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

2 GHz to 20 GHz 22 V 1.68 A 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2962 Bag
Qorvo QPA2962TR7
Qorvo Amplificador de RF 2-20 GHz 10 W GaN Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

QPA2962 Reel