Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.72
736En existencias

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IPA60R280P6XKSA1

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726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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$0.96

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.38
276En existencias

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726-IPP60R125P6XKSA1

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R070P6
Infineon Technologies
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3.5 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
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12En existencias
480Se espera el 11/2/2027

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480Se espera el 11/2/2027

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Enhancement

CoolMOS

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500Se espera el 28/5/2026

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500Se espera el 28/5/2026

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TO-220-3

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31 W

Enhancement

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IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.72
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IPP60R160P6XKSA1

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IPW60R125P6
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Plazo de entrega 8 Semanas

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IPW60R125P6

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$2.40

$2.13

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
1: $6.42
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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$3.72

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TO-247-4

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600 V

37.9 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6
Infineon Technologies
1: $4.53
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$4.53

$2.96

$2.32

$1.93

$1.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6
Infineon Technologies
1: $3.85
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Cinta cortada

$3.85

$2.52

$1.86

$1.65

$1.46

Envase tipo carrete

$1.46

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

600 V

22.4 A

162 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 40 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
3,000: $1.22
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R210P6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

$1.22

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19.2 A

189 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

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