Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Infineon Technologies
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IPA60R099P6
Infineon Technologies
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Enhancement

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Tube

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Infineon Technologies
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IPL60R210P6

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Infineon Technologies

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1,510En existencias

Cinta cortada

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Infineon Technologies
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IPB60R160P6ATMA1

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2,000Se espera el 26/2/2026

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Enhancement

CoolMOS

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IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.26
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IPA60R099P6XKSA1

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Tube

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IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: $3.55
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IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

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$3.55

$2.31

$1.77

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.37
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IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

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IPP60R099P6XKSA1
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1: $5.70
242En existencias

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IPP60R099P6XKSA1

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726-IPP60R099P6XKSA1

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IPW60R041P6

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$9.88

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CoolMOS

Tube

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IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.62
139En existencias

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IPW60R125P6XKSA1

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726-IPW60R125P6XKSA1

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139En existencias

$3.62

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CoolMOS

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IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: $3.65
348En existencias

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IPW60R160P6FKSA1

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726-IPW60R160P6FKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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348En existencias

$3.65

$3.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Infineon Technologies
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IPA60R125P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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IPA60R230P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6
Infineon Technologies
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IPA60R280P6

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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