U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1 142,156En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 170 mA 3.9 Ohms, 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS 72,437En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz 51,796En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 N-Channel 1 Channel 12 V 7 A 14.4 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A 5,261En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD 9,694En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm 48,760En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V 76,143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 65,021En existencias
72,000Se espera el 3/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF 78,048En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel 71,769En existencias
40,000Se espera el 6/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms, 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected 96,020En existencias
501,000Se espera el 24/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 171,687En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 4,766En existencias
24,000Se espera el 6/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 8,568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 43 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
36,000Se espera el 3/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
15,991Se espera el 3/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 40 V 1.8 A 400 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF 11,518En existencias
21,000Se espera el 24/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 4,709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 799En existencias
129,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 19,930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A 18,153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V 27,424En existencias
15,000Se espera el 17/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A 27,299En existencias
42,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A 14,715En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET 152,010En existencias
120,000Se espera el 24/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel