U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 44
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
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2,100En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
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68,978En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1
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141,721En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 170 mA 3.9 Ohms, 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
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51,796En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 N-Channel 1 Channel 12 V 7 A 14.4 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F
Hoja de datos
2,100En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B
Hoja de datos
2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F
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2,072En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A
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5,251En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
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9,594En existencias
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: 3,000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
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16,750En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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135,208En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET
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169,549En existencias
210,000Se espera el 7/8/2026
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Min.: 1
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: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
Hoja de datos
29,250En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 112 mOhms - 12 V, 12 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
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244,504En existencias
378,000Se espera el 4/9/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
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8,550En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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18,115En existencias
72,000En pedido
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
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7,244En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 43 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
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3,332En existencias
21,000Se espera el 22/5/2026
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Min.: 1
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: 3,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
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4,709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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11,910En existencias
10,000Se espera el 28/8/2026
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Min.: 1
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: 10,000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
Hoja de datos
9,247En existencias
60,000Se espera el 22/5/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
Hoja de datos
2,725En existencias
33,000Se espera el 22/5/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A
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11,153En existencias
30,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
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5,790En existencias
78,000Se espera el 8/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A
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20,003En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel