Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET

SIHP6N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP6N80E-BE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.4 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK125N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIHK125N60E-T1-GE3

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET

SIHB11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB11N80AE-GE3

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 8A N-CH MOSFET

SIHD11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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8 A

450 mOhms

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+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK045N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET

SIHB21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17.4 A

205 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

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SIHP25N50E-BE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

26 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

86 nC

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+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 8A N-CH MOSFET

SIHG11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

28 nC

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+ 150 C

78 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 23A N-CH MOSFET

SIHP23N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

158 mOhms

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4 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHB24N65EFT5-GE3
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SIHG28N65E-GE3
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TO-247AC-3

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SIHP15N60E-BE3
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SIHP15N60E-BE3

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600 V

15 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

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SIHP33N60E-E3
Vishay Semiconductors
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TO-220-3

N-Channel

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SIHP35N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP35N60E-BE3

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N-Channel

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600 V

32 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

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Enhancement

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
180 mOhms
184 mOhms
205 mOhms
243 mOhms
250 mOhms
269 mOhms
280 mOhms
304 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC
50 nC
54 nC
59 nC
64 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC