Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (R_DS(ON)), low input capacitance (C_iss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Q_g). E series MOSFETs are available in 800V_DS high-voltage variants with drain current (I_D) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.

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Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET

SIHP4N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.3 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

32 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET

SIHB11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

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- 30 V, 30 V

2 V

28 nC

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+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

SIHA21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7.5 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHB24N80AE-GE3
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TO-263-4

N-Channel

1 Channel

800 V

21 A

184 mOhms

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208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET

SIHA17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Enhancement

Tube

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SIHP14N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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N-Channel

1 Channel

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147 W

Enhancement

Tube

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SIHP15N50E-BE3
Vishay / Siliconix
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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1 Channel

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15 A

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208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET

SIHA20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
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N-Channel

1 Channel

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19 A

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34 W

Enhancement

Tube

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SIHP25N60EFL-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP25N60EFL-BE3

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250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET

SIHP7N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP7N60E-BE3

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Vishay / Siliconix

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

609 V

7 A

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78 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET

SIHB17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB17N80AE-GE3

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1 Channel

800 V

15 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET

SIHB24N65EFT1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB24N65EFT1-GE3

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

D²PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

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- 30 V, 30 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

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SIHP12N60E-BE3
Vishay
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SIHP12N60E-BE3

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Vishay

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

SIHP17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: $3.76
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SIHP17N80AE-GE3

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78-SIHP17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET

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$1.72

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

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4 V

41 nC

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179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET

SIHA22N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.90
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SIHA22N60AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA22N60AE-GE3

Vishay / Siliconix

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

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+ 150 C

33 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.39
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SIHG17N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG17N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

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$4.39

$2.49

$2.04

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 155 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.96
1,695En existencias

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SIHP15N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP15N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET

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$1.96

$1.76

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

304 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 155 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

SIHP22N60AE-BE3
Vishay / Siliconix
1: $5.03
3,573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP22N60AE-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP22N60AE-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET

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3,573En existencias

$5.03

$2.60

$2.31

$1.95

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

96 nC

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+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $2.61
3,177En existencias

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SIR608DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR608DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8

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$1.53

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

45 V

208 A

1.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

167 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

SIHU2N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.00
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SIHU2N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHU2N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.9 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

7 nC

- 55 C

+ 155 C

62.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHA24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.42
682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA24N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA24N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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$4.42

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$2.07

$2.05

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

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+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK125N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.44
3,734En existencias

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SIHK125N60E-T1-GE3

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78-SIHK125N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET

SIHP11N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP11N80E-BE3

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78-SIHP11N80E-BE3

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

SIHG24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHG24N80AE-GE3

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

21 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

E Series High Voltage MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
180 mOhms
184 mOhms
205 mOhms
243 mOhms
250 mOhms
269 mOhms
280 mOhms
304 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC
50 nC
54 nC
59 nC
64 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC