Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 30,335En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 14,657En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 16 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333-8L P-Channel 1 Channel 60 V 38 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,711En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333-8 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,217En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333-8 P-Channel 60 V 13 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 30,402En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,652En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 770En existencias
3,000Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 8,143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,643En existencias
6,000Se espera el 29/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,341En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 60 V - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,595En existencias
3,000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,959En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 16 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET 5,414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 P-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,820En existencias
3,000Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333-8L P-Channel 1 Channel 60 V 18 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel