Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTT6N120
IXYS
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IXTT6N120

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747-IXTT6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

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$14.55

$8.87

$7.64

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300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
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IXTJ4N150

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747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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259En existencias

$13.68

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$8.37

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

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5 V

44.5 nC

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+ 150 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N120HV
IXYS
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395En existencias

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IXTA3N120HV

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747-IXTA3N120HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

IXTA4N150HV
IXYS
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193En existencias

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IXTA4N150HV

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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215En existencias

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TO-247-3

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1.5 kV

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6 Ohms

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2.5 V

44.5 nC

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280 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

IXTT12N150HV
IXYS
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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

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263En existencias

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$40.58

$40.57

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D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2.2 Ohms

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2.5 V

106 nC

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+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

IXFH16N120P
IXYS
1: $21.05
158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

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Hoja de datos

158En existencias

$21.05

$13.99

$13.98

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1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

120 nC

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+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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1,748En existencias
550Se espera el 25/1/2027

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

1,748En existencias

550Se espera el 25/1/2027

$5.80

$3.06

$2.78

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1 Channel

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750 mA

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2.5 V

7.8 nC

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+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXTA3N120
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1,100Se espera el 17/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

Hoja de datos

913En existencias

1,100Se espera el 17/8/2026

$8.23

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2.5 V

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

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IXYS
1: $22.19
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IXTH12N150

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

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300En existencias

$22.19

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N-Channel

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1.5 kV

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

Hoja de datos

845En existencias

$9.22

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N-Channel

1 Channel

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N150HV
IXYS
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300Se espera el 17/8/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

39En existencias

300Se espera el 17/8/2026

$13.02

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1.5 kV

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH3N150
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IXTH3N150

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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$15.53

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$8.80

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TO-247-3

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1 Channel

1.5 kV

3 A

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- 30 V, 30 V

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38.6 nC

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+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTH6N120
IXYS
1: $14.55
143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

Hoja de datos

143En existencias

$14.55

$8.89

$8.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTP05N100
IXYS
1: $4.14
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

Hoja de datos

550En existencias

$4.14

$2.14

$1.93

$1.58

$1.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

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+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

IXTP05N100M
IXYS
1: $5.06
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

Hoja de datos

300En existencias

$5.06

$2.64

$2.39

$1.98

$1.86

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

700 mA

15 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

IXTT12N150
IXYS
1: $17.72
10En existencias
300Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

10En existencias

300Se espera el 31/8/2026

$17.72

$12.66

$11.23

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

IXTX20N150
IXYS
1: $32.14
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

47En existencias

$32.14

$26.30

$23.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

IXTY01N100
IXYS
1: $3.42
320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY01N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY01N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

Hoja de datos

320En existencias

$3.42

$1.71

$1.50

$1.34

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

100 mA

80 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTA05N100
IXYS
300: $3.73
800Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

Hoja de datos

800Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

$3.73

$3.31

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

IXTH6N150
IXYS
1: $15.72
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

$15.72

$12.80

$10.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ6N150
IXYS
300: $12.72
Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas

$12.72

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

3.85 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

IXTK20N150
IXYS
300: $49.90
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTK20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

$49.90

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

IXTP2N80
IXYS
50: $2.57
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP2N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP2N80

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$2.57

$1.89

$1.68

$1.48

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

6.2 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
700 mA
750 mA
1.5 A
1.83 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
5 A
6 A
12 A
13 A
14 A
16 A
20 A
24 A
33 A
40 A
50 A

20 mOhms
25 mOhms
45 mOhms
85 mOhms
170 mOhms
350 mOhms
400 mOhms
700 mOhms
800 mOhms
950 mOhms
1 Ohms
2 Ohms
2.2 Ohms
2.4 Ohms
2.6 Ohms
3.5 Ohms
3.85 Ohms
4.5 Ohms
6 Ohms
6.2 Ohms