Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 42

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
Infineon Technologies
1: $1.52
92En existencias
15,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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92En existencias

15,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

$1.52

$0.947

$0.625

$0.488

Ver

Envase tipo carrete

$0.344

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

106 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1: $1.10
3,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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3,719En existencias

Cinta cortada

$1.10

$0.682

$0.447

$0.345

Ver

Envase tipo carrete

$0.258

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0909NS
Infineon Technologies
1: $1.04
121En existencias
10,000Se espera el 11/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0909NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0909NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

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121En existencias

10,000Se espera el 11/3/2027

Cinta cortada

$1.04

$0.698

$0.441

$0.306

Ver

Envase tipo carrete

$0.211

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

34 V

36 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2

IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1: $2.36
1,619En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB057N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2

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1,619En existencias

Cinta cortada

$2.36

$1.52

$1.03

$0.821

Envase tipo carrete

$0.753

$0.689

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1: $3.15
378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI029N06NAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

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378En existencias

$3.15

$1.93

$1.46

$1.13

$1.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC010NE2LS
Infineon Technologies
1: $1.96
45En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC010NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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45En existencias

Cinta cortada

$1.96

$1.25

$0.864

$0.816

Envase tipo carrete

$0.694

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS

BSC0909NS
Infineon Technologies
1: $0.97
10,000Se espera el 7/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC0909NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0909NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS

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10,000Se espera el 7/1/2027

Cinta cortada

$0.97

$0.604

$0.392

$0.301

$0.246

Envase tipo carrete

$0.193

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

34 V

44 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1: $2.12
18,749En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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18,749En pedido

Cinta cortada

$2.12

$1.35

$0.895

$0.734

$0.66

Envase tipo carrete

$0.583

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.86
18,008Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ042N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

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18,008Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

$1.86

$1.19

$0.872

$0.74

Ver

Envase tipo carrete

$0.608

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

98 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC

IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
1: $3.98
4,800Se espera el 23/7/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF6717MTRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF6717MTRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC

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Hoja de datos

4,800Se espera el 23/7/2026

Cinta cortada

$3.98

$2.50

$1.83

$1.51

$1.41

Envase tipo carrete

$1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,800

SMD/SMT

DirectFET-MX

N-Channel

1 Channel

25 V

220 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

46 nC

- 40 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

DirectFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.41
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

$1.41

$0.884

$0.587

$0.463

Ver

Envase tipo carrete

$0.368

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
5,000: $0.209
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ060NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ060NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$0.209

$0.206

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies
500: $1.81
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$1.81

$1.77

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.81
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$2.81

$1.39

$1.25

$0.957

$0.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014NE2LSIXT
Infineon Technologies
5,000: $0.599
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC014NE2LSIXT

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014NE2LSIATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$0.599

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LSIXT
Infineon Technologies
5,000: $0.478
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LSIXT

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LSIATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

$0.478

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LSIXT
Infineon Technologies
5,000: $0.72
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LSIXT

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LSIATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

$0.72

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
40 A
44 A
45 A
49 A
57 A
58 A
63 A
69 A
84 A
90 A
98 A
100 A
106 A
120 A
149 A
153 A
180 A
220 A
230 A

800 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms

9.1 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
13.6 nC
17 nC
19 nC
21 nC
26 nC
27 nC
32 nC
35 nC
38 nC
39 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
30 W
36 W
37 W
38 W
43 W
48 W
69 W
74 W
83 W
96 W
136 W
139 W
156 W
167 W
214 W
300 W