Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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TSDSON-8
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TDSON-8
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TDSON-8
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84 A
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OptiMOS
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TSDSON-8
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2 V
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+ 150 C
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TDSON-8
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OptiMOS
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BSC039N06NSATMA1
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
BSC0909NS
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726-BSC0909NS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
8,480 En existencias
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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726-IPB057N06NATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
5,559 En existencias
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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45 A
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+ 175 C
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
IRF6717MTRPBF
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942-IRF6717MTRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
4,322 En existencias
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SMD/SMT
DirectFET-MX
N-Channel
1 Channel
25 V
220 A
1.6 mOhms
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1.8 V
46 nC
- 40 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
DirectFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC028N06NSATMA1
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1:
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19,023 En existencias
15,000 Se espera el 26/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
19,023 En existencias
15,000 Se espera el 26/11/2026
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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60 V
100 A
2.5 mOhms
20 V
2.1 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.08
13,333 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
13,333 En existencias
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
58 A
5 mOhms
20 V
1.2 V
10.4 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.00
6,779 En existencias
10,000 Se espera el 28/1/2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
6,779 En existencias
10,000 Se espera el 28/1/2027
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.74
5,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
5,951 En existencias
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5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
40 A
3.2 mOhms
20 V
2 V
13.6 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1:
$1.35
9,524 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
9,524 En existencias
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5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
49 A
6.5 mOhms
20 V
2 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.10
605 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
605 En existencias
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Mult.: 1
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1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
180 A
1.2 mOhms
20 V
2.1 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.38
2,827 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
2,827 En existencias
Embalaje alternativo
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Mult.: 1
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.5 mOhms
20 V
2.1 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC010NE2LSI
Infineon Technologies
1:
$2.19
5,514 En existencias
5,000 Se espera el 24/12/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LSI
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
5,514 En existencias
5,000 Se espera el 24/12/2026
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5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.05 mOhms
20 V
1.2 V
59 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.08
376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
376 En existencias
Embalaje alternativo
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Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.7 mOhms
20 V
2.1 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.25
791 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
791 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
$2.25
232 En existencias
20,000 Se espera el 30/9/2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
232 En existencias
20,000 Se espera el 30/9/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.62
3,489 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3,489 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.8 mOhms
20 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
BSC052N03LS
Infineon Technologies
1:
$0.94
2,964 En existencias
5,000 Se espera el 5/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
2,964 En existencias
5,000 Se espera el 5/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
57 A
5.2 mOhms
20 V
1.2 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel