Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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Si
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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100 A
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- 20 V, 20 V
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136 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06NATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
7,199 En existencias
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Si
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
9,928 En existencias
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Si
SMD/SMT
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3,500 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5,900 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
22,067 En existencias
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31,026 En existencias
20,000 Se espera el 3/9/2026
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Presupuesto
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
12,127 En existencias
10,000 Se espera el 3/8/2026
Embalaje alternativo
1
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
851 En existencias
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Detalles
Si
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TO-263-7
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1 Channel
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
7,527 En existencias
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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100 A
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
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3,331 En existencias
25,000 En pedido
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
3,331 En existencias
25,000 En pedido
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3,331 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 13/8/2026
15,000 Se espera el 4/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$5.12
10
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1,000
Ver
5,000
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5,000
$1.76
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Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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+ 150 C
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
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9,973 En existencias
25,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
9,973 En existencias
25,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
9,973 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 18/2/2027
10,000 Se espera el 25/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.48
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Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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3,429 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
3,429 En existencias
Embalaje alternativo
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.87
836 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
836 En existencias
1
$3.87
10
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC010NE2LSI
Infineon Technologies
1:
$2.53
5,213 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC010NE2LSI
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
5,213 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.53
10
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Ver
5,000
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1,000
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$0.77
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$0.701
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Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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100 A
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- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.10
452 En existencias
1,000 Se espera el 22/7/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
452 En existencias
1,000 Se espera el 22/7/2026
Embalaje alternativo
1
$8.10
10
$5.39
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$3.95
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
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- 20 V, 20 V
2.1 V
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- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.81
179 En existencias
4,000 Se espera el 15/7/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
179 En existencias
4,000 Se espera el 15/7/2026
Embalaje alternativo
1
$2.81
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
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N-Channel
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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