Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Qg - Carga de puerta

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IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
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IPB026N06NATMA1

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726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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$3.36

$2.14

$1.52

$1.23

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
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7,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

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726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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7,219En existencias

Cinta cortada

$3.02

$1.81

$1.34

$1.09

$1.04

Envase tipo carrete

$0.964

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
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BSZ018NE2LS

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726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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5,950En existencias

Cinta cortada

$1.63

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSC0901NSATMA1

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726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSZ031NE2LS5ATMA1

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726-BSZ031NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSC011N03LS

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726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$0.935

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$0.709

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSC018NE2LS

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726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$1.76

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Infineon Technologies
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BSC0906NS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NS

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726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8

BSC0901NSIXT
Infineon Technologies
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3,576En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSIXT

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSIATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8

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$1.70

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Infineon Technologies
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BSC016N06NSATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

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33,420En existencias

Cinta cortada

$3.13

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$1.41

$1.17

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$1.05

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
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12,717En existencias
10,000Se espera el 25/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06NSATMA1

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726-BSC028N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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12,717En existencias

10,000Se espera el 25/3/2027

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$3.67

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$1.69

$1.38

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Envase tipo carrete

$1.23

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TDSON-8

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83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSC039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

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20,335En existencias

Cinta cortada

$2.30

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$0.782

Envase tipo carrete

$0.731

MouseReel Disponible

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1: $6.43
515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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Hoja de datos

515En existencias

Cinta cortada

$6.43

$4.40

$3.18

$3.03

Envase tipo carrete

$2.83

MouseReel Disponible

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB014N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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851En existencias

Cinta cortada

$4.84

$3.20

$2.27

$1.96

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$1.83

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $4.70
3,962En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

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3,962En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

$4.70

$3.10

$2.20

$1.89

$1.82

Envase tipo carrete

$1.76

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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60 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD053N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

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Hoja de datos

3,495En existencias

Cinta cortada

$2.14

$1.37

$0.817

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$0.602

Envase tipo carrete

$0.601

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

32 nC

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC010NE2LSI
Infineon Technologies
1: $2.34
5,253En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC010NE2LSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LSI

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5,253En existencias

Cinta cortada

$2.34

$1.50

$1.04

$0.876

$0.745

Envase tipo carrete

$0.696

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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- 55 C

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96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPP029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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Hoja de datos

336En existencias

500Se espera el 11/6/2026

$3.55

$1.80

$1.63

$1.31

$1.22

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

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Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LS
Infineon Technologies
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BSC032NE2LS

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726-BSC032NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

3,117En existencias

Cinta cortada

$1.36

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$0.424

Ver

Envase tipo carrete

$0.311

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

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84 A

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21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
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BSC050NE2LS

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

58 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
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5,000Se espera el 11/6/2026

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BSC052N03LS

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MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: $1.45
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BSC0901NS

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726-BSC0901NS

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N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1: $1.10
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BSZ065N03LS

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726-BSZ065N03LS

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TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

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2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
40 A
44 A
45 A
49 A
57 A
58 A
63 A
69 A
84 A
90 A
98 A
100 A
106 A
120 A
149 A
153 A
180 A
220 A
230 A

800 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms

9.1 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
13.6 nC
17 nC
19 nC
21 nC
26 nC
27 nC
32 nC
35 nC
38 nC
39 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
30 W
36 W
37 W
38 W
43 W
48 W
69 W
74 W
83 W
96 W
136 W
139 W
156 W
167 W
214 W
300 W