SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

Resultados: 47
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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7,069En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.15 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
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9,578En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
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2,549En existencias
6,000Se espera el 17/9/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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8,801En existencias
15,000Se espera el 1/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.8 A 66 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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715En existencias
9,000Se espera el 15/4/2027
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 234 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
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870En existencias
42,000Se espera el 30/11/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23
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2,891En existencias
132,000Se espera el 15/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 51 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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896En existencias
33,000Se espera el 23/11/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SOT-23
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800En existencias
27,000Se espera el 31/5/2027
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 4.4 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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240En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.17 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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99,000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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287,745En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 7.6 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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158,641En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23
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81,000Se espera el 29/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 8 V 6 A 17 mOhms - 5 V, 5 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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104,907En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.9 A 26.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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56,895Se espera el 10/5/2027
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 112 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
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89,446En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
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104,932Se espera el 10/8/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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15,000Se espera el 11/3/2027
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.15 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SOT-23
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32,219Se espera el 16/11/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.2 A 42 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 19mohm @ 4.5V
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 TrenchFET Reel