Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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TrenchFET

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SI2374DS-T1-GE3
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SI2305CDS-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

SI2306BDS-T1-GE3
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30 V

3.16 A

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TrenchFET

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SI2309CDS-T1-E3
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

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SI2325DS-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

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400 mV

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2.5 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3
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SI2343CDS-T1-GE3

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781-SI2343CDS-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SI2377EDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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SOT-23-3

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1 Channel

20 V

4.4 A

61 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

6 A

23 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

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SI2347DS-T1-GE3
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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

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P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

34 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

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SI2300DS-T1-GE3
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TrenchFET

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC