SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 407,150En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 32,581En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 257,569En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 7.6 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 202,021En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 162,507En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23 497,244En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.8 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 241,210En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 102,460En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23 88,851En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23 22,595En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 6 A 30 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 19.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23 36,330En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 68 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23 40,031En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 5.8 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23 16,825En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23 22,873En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 150 V 690 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V 28,528En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 13,173En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5.9 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 28,002En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 61 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23 68,233En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 8 V 6 A 17 mOhms - 5 V, 5 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 14,972En existencias
36,000Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 112 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 28,190En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23 6,575En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 150 V 530 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23 7,825En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 535En existencias
558,000Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.9 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 4,307En existencias
36,000En pedido
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.8 A 66 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23 985En existencias
99,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel