Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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IPD60R180P7ATMA1
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IPD60R180P7ATMA1

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IPL60R125P7AUMA1
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IPL60R125P7AUMA1

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726-IPL60R125P7AUMA1

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Enhancement

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IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $2.80
2,450En existencias

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IPL60R185P7AUMA1

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726-IPL60R185P7AUMA1

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Cinta cortada

$2.80

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MouseReel Disponible

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19 A

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Enhancement

CoolMOS

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IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.18
947En existencias

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IPP60R099P7XKSA1

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726-IPP60R099P7XKSA1

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947En existencias

$4.18

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1 Channel

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31 A

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CoolMOS

Tube

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IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.71
5,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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5,764En existencias

$2.71

$1.29

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $12.04
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

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726-IPW60R024P7XKSA1

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310En existencias

$12.04

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N-Channel

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164 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.24
1,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

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1,067En existencias

$4.24

$2.17

$2.14

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1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.90
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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370En existencias

$2.90

$1.44

$1.30

$1.04

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1 Channel

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23.8 A

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Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN60R180P7SXKSA1

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726-IPAN60R180P7SXKS

Infineon Technologies

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783En existencias

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

18 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
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1,000Se espera el 10/3/2026

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IPB60R080P7ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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611En existencias

1,000Se espera el 10/3/2026

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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37 A

69 mOhms

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPB60R180P7ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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980En existencias

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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R160P7XKSA1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

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