Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPB60R120P7ATMA1

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726-IPB60R120P7ATMA1

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IPD60R180P7SAUMA1

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726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

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7,500Se espera el 4/2/2027

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$2.20

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Envase tipo carrete

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: 2,500

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
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IPL60R105P7AUMA1

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726-IPL60R105P7AUMA1

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4,231En existencias

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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IPL60R125P7AUMA1

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726-IPL60R125P7AUMA1

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$4.14

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Envase tipo carrete

$1.61

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: 3,000

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.29
3,691En existencias

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IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

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3,691En existencias

Cinta cortada

$3.29

$1.64

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$1.20

$1.18

Envase tipo carrete

$1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

20 V

3 V

25 nC

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.85
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IPP60R060P7XKSA1

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726-IPP60R060P7XKSA1

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Ver

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

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726-IPW60R080P7XKSA1

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3,510En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

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Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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76 A

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CoolMOS

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IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN60R180P7SXKSA1

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NRND

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Ver

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

340 mOhms

20 V

3.5 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPB60R080P7ATMA1

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

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600 V

37 A

69 mOhms

20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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