Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC70N08S5N074ATMA1
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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
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$1.60

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Envase tipo carrete

$0.737

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IAUS300N08S5N012ATMA1
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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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HSOG-8

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUT240N08S5N019ATMA1
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Infineon Technologies

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MouseReel Disponible

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Infineon Technologies
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IAUZ20N08S5L300ATMA1

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Infineon Technologies

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
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IAUZ30N10S5L240ATMA1

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726-IAUZ30N10S5L240A

Infineon Technologies

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$0.599

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MouseReel Disponible

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TSDSON-8

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Infineon Technologies
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726-IAUZ40N10S5L120A

Infineon Technologies

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$1.82

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Reel, Cut Tape

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IAUZ40N10S5N130ATMA1
Infineon Technologies
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IAUZ40N10S5N130ATMA1

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726-IAUZ40N10S5N130A

Infineon Technologies

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$1.86

$1.19

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$0.626

$0.531

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$0.496

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TSDSON-8-33

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IAUS300N08S5N012TATMA1
Infineon Technologies
1: $7.20
2,260En existencias

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IAUS300N08S5N012TATMA1

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726-US300N08S5N012T1

Infineon Technologies

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$7.20

$4.86

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$3.12

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$3.12

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HDSOP-16-2

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N014TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1

Infineon Technologies

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2,200En existencias

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$6.53

$4.38

$3.16

$2.93

$2.74

Envase tipo carrete

$2.74

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300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5N040ATMA1
Infineon Technologies
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48En existencias
25,000Se espera el 1/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5N040ATMA1

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Infineon Technologies

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48En existencias

25,000Se espera el 1/6/2026

Cinta cortada

$3.42

$2.23

$1.52

$1.27

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Envase tipo carrete

$1.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

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78 nC

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+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC24N10S5L300ATMA1
Infineon Technologies
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238En existencias
25,000Se espera el 28/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUC24N10S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC24N10S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

238En existencias

25,000Se espera el 28/1/2027

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$1.47

$0.92

$0.613

$0.463

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Envase tipo carrete

$0.357

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

24 A

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- 20 V, 20 V

1.7 V

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38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.39
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N.º de artículo del Fabricante
IAUS165N08S5N029ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

348En existencias

Cinta cortada

$4.39

$2.89

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Envase tipo carrete

$1.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

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N-Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.71
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

790En existencias

Cinta cortada

$4.71

$3.11

$2.20

$2.04

$1.77

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$1.77

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80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.01
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N.º de artículo del Fabricante
IAUT165N08S5N029ATMA2

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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Cinta cortada

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$2.63

$1.84

$1.52

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$1.42

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Min.: 1
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HSOF-8

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1 Channel

80 V

165 A

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N08S5N186ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.37
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IAUZ30N08S5N186ATMA1

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726-IAUZ30N08S5N186A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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IAUC28N08S5L230ATMA1
Infineon Technologies
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10,000Se espera el 28/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUC28N08S5L230ATMA1

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726-IAUC28N08S5L230A

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

28 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

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IAUC50N08S5L096ATMA1
Infineon Technologies
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5,000Se espera el 22/10/2026

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IAUC50N08S5L096ATMA1

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PG-TDSON-8-33

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1 Channel

80 V

50 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

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IAUS300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.10
1,800Se espera el 6/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N10S5N014

Infineon Technologies

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PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

100 V

360 A

1.4 mOhms

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3.8 V

166 nC

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+ 175 C

375 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5

IAUT300N08S5N011ATMA1
Infineon Technologies
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2,000Se espera el 16/7/2026

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IAUT300N08S5N011ATMA1

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726-IAUT300N08S5N011

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SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

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1 Channel

80 V

410 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

18 A
20 A
24 A
28 A
30 A
40 A
42 A
50 A
61 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A
240 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
15 nC
17 nC
20 nC
22 nC
30 nC
36 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
81 nC
90 nC
91 nC
96 nC
110 nC

30 W
38 W
45.5 W
60 W
68 W
83 W
88 W
115 W
125 W
166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W
238 W
300 W
307 W