Resultados: 60
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6,386En existencias
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: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,546En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 81 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6,839En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6,045En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5 4,000En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 61 A 11.3 mOhms 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2,368En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 220 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 81 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3,879En existencias
Min.: 1
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: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2,840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 370 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 149 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3,445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 138 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 98En existencias
4,000Se espera el 18/5/2026
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 310 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 142 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 5,314En existencias
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: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 4,075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2,353En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-2 N-Channel 2 Channel 80 V 410 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 7,150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 410 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 21,655En existencias
Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 16,758En existencias
20,000Se espera el 1/7/2026
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: 2,000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 7,233En existencias
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: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3,875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,491En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,430En existencias
2,000Se espera el 30/7/2026
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,023En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 250 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 96 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 9,190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 11,605En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2,092En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 4,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si Reel, Cut Tape