Connected Driving Applications

Diodes Inc. Connected Driving Applications address issues such as finding a parking space, adaptive navigation through busy streets, or using technology to avoid congestion on major roads between cities, along with increasing driver and pedestrian safety. The ultimate objective is a fully autonomous car, which can only be enabled through high-speed data communications. Vehicle-to-Everything (V2X) communications include Vehicle-to-Car, Pedestrian, Device, and Grid fuelled by increased ADAS functionality. The volume of data generated, transferred, and processed within the car is increasing exponentially. Reliable high-speed data communications will be a part of every vehicle’s infrastructure. Diodes Inc. offers products to realize the vision of a fully autonomous, connected vehicle.

Todos los resultados (149)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Comparadores analógicos 36V Dual Comparator 25nA 0.6mA 25nA 1mV 26,233En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,120
: 2,500

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3,580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 18,864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA 17,911En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf 24,927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
: 3,000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA 19,128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 3,000

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 5,182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 1,474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000



Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM7050 T&R 1K 904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K 315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 92,319En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 900
: 2,500


Diodes Incorporated Temporizadores y productos de apoyo Automotive Grade Precision Timer 9,981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,020
: 2,500

Diodes Incorporated OSC Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K 2,701En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 6,182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 4,568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 440
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 4,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 3,000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A 38,586En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,310
: 5,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier 80,892En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA 5,621En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 4,166En existencias
5,000Se espera el 12/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,360
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 149,186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,060
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 10,241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 71,519En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,960
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 3,843En existencias
2,500Se espera el 21/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2,500