|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
$272.72
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$272.72
|
|
|
$245.71
|
|
|
$245.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
150
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
25 dB
|
600 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
- AFV09P350-04NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$118.57
-
207En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
|
|
207En existencias
|
|
|
$118.57
|
|
|
$118.56
|
|
|
$118.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
720 MHz to 960 MHz
|
19.2 dB
|
100 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-780-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$348.16
-
39En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
39En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$399.80
-
164En existencias
-
250Se espera el 6/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
|
|
164En existencias
250Se espera el 6/7/2026
|
|
|
$399.80
|
|
|
$346.09
|
|
|
$346.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
25.1 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$51.53
-
143En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
143En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
18.5 dB
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$33.10
-
1,061En existencias
-
1,000Se espera el 9/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
1,061En existencias
1,000Se espera el 9/7/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
17.7 dB
|
33 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$409.67
-
72En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
72En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
135 V
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23.7 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230H-4S
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$423.07
-
35En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
35En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2 A
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
25 dB
|
600 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$377.57
-
346En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
|
|
346En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
26.5 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
- MHT1803B
- NXP Semiconductors
-
1:
$38.78
-
304En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
|
|
304En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.64
-
152En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
152En existencias
|
|
|
$39.64
|
|
|
$27.44
|
|
|
$27.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$349.40
-
11En existencias
-
50Se espera el 15/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
|
|
11En existencias
50Se espera el 15/6/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
24.4 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$23.32
-
216En existencias
-
1,000Se espera el 9/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
216En existencias
1,000Se espera el 9/7/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
17.7 dB
|
33 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$19.55
-
221En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
|
|
221En existencias
|
|
|
$19.55
|
|
|
$15.59
|
|
|
$14.60
|
|
|
$14.18
|
|
|
$13.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
40 V
|
764 MHz to 941 MHz
|
15.7 dB
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
- MMRF1014NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$20.49
-
483En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
|
|
483En existencias
|
|
|
$20.49
|
|
|
$15.61
|
|
|
$13.96
|
|
|
$13.82
|
|
|
$13.46
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
50 mA
|
68 V
|
1 MHz to 2 GHz
|
19 dB
|
4 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$94.35
-
191En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
|
|
191En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
1.5 A
|
66 V
|
1 GHz
|
21.1 dB
|
14 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
TO-270
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
- MW6S004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$24.05
-
481En existencias
-
1,000En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
|
|
481En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$24.05
|
|
|
$18.93
|
|
|
$16.81
|
|
|
$16.74
|
|
|
$16.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
68 V
|
1 MHz to 2 GHz
|
18 dB
|
4 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
- AFT27S006NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$18.74
-
273En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
|
|
273En existencias
|
|
|
$18.74
|
|
|
$14.93
|
|
|
$13.98
|
|
|
$13.54
|
|
|
Ver
|
|
|
$12.95
|
|
|
$13.49
|
|
|
$12.95
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
728 MHz to 3.7 GHz
|
16 dB
|
28.8 dBm
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5W
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
- MRFX035HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$135.30
-
7En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX035HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
|
|
7En existencias
|
|
|
$135.30
|
|
|
$105.40
|
|
|
$105.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
193 V
|
1.8 MHz to 512 MHz
|
24.8 dB
|
35 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-360H-2SB
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.71
-
147En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
147En existencias
|
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$3.71
|
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$3.07
|
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|
$2.60
|
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|
$2.11
|
|
|
$2.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4.7 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
16.2 dB
|
6.5 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
HVSON-16
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.92
-
72En existencias
-
23,000Se espera el 9/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
72En existencias
23,000Se espera el 9/7/2026
|
|
|
$3.92
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
20.9 dB
|
4.9 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
-
1:
$172.21
-
1En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
|
|
1En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
960 MHz to 1.4 GHz
|
25 dB
|
10 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
PLD-1.5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$46.16
-
2,612En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
2,612En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.66
-
480Se espera el 21/9/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
480Se espera el 21/9/2026
|
|
|
$87.66
|
|
|
$71.48
|
|
|
$67.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
20.4 dB
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$4.75
-
6,000Se espera el 4/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
|
|
6,000Se espera el 4/6/2026
|
|
|
$4.75
|
|
|
$3.32
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.56
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.53
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
3 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
15 dB
|
8 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
