Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi NTTFS016N06CTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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1,500Se espera el 3/4/2026
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onsemi NTTFS5C680NLTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL
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4,472Se espera el 5/5/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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12,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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6,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
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24,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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7,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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18,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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1,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
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43,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S0
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10,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
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9,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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16,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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9,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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7,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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16,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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21,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi NTMFD024N06CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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10,500Existencias en fábrica disponibles
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onsemi NTMFS024N06CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER
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48,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi NTMFS5C646NT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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3,000Existencias en fábrica disponibles
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onsemi NTMYS2D1N04CLTWG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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9,000Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
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onsemi NTTFS024N06CTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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1,000Se espera el 11/3/2026
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onsemi NVMFS5C673NWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
Hoja de datos
12,000Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1,500
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
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Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
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Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 1,500
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