20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8),  TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

Resultados: 114
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 29,732En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 50 A 12.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 69 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 44,942En existencias
Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 19,898En existencias
Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 976En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 225 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 1,892En existencias
Min.: 1
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: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 90 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 6,202En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 8,732En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 13.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 4,148En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 30 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 4,344En existencias
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 9,396En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 135 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 3,348En existencias
Min.: 1
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 286 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 16,184En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 18,029En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T 2,130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 27 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 6,768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 5,096En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 980 uOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 128 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,522En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 108 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V) 9,700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 3.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T 1,725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 7,445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.11 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,898En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.29 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 16,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V 65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1 mOhms - 16 V, 20 V 1.7 V 310 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 581En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel