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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
- SIHA24N65EF-E3
- Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHA24N65EF-E3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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1 Channel
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700 V
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24 A
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156 mOhms
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- 30 V, 30 V
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4 V
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81 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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39 W
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Enhancement
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Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
- SIHB33N60EFT1-GE3
- Vishay Semiconductors
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHB33N60EFT1-GE3
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
- SIHH21N60EF-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHH21N60EF-T1GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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No en existencias
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:
3,000
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Si
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SMD/SMT
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PowerPAK-8x8-4
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N-Channel
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1 Channel
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600 V
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153 mOhms
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- 30 V, 30 V
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4 V
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55 nC
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- 55 C
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104 W
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Enhancement
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Reel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
- SIHH21N65EF-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHH21N65EF-T1GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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Min.: 3,000
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:
3,000
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Si
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SMD/SMT
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PowerPAK-8x8-4
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N-Channel
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1 Channel
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650 V
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- 30 V, 30 V
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4 V
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66 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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156 W
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Enhancement
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Reel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
- SIHP21N65EF-GE3
- Vishay / Siliconix
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$2.42
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHP21N65EF-GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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1 Channel
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650 V
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21 A
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180 mOhms
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- 30 V, 30 V
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4 V
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71 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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208 W
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Enhancement
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Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
- SIHP24N65EF-GE3
- Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHP24N65EF-GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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No en existencias
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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1 Channel
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650 V
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24 A
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156 mOhms
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- 20 V, 20 V
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4 V
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81 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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250 W
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Enhancement
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Tube
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