Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Q_rr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Q_rr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

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Resultados: 31

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHB105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

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30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHG105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

102 mOhms

30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode

SIHP22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

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1 Channel

600 V

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2 V

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+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP21N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

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1 Channel

650 V

21 A

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208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

SIHA22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

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19 A

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2 V

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33 W

Enhancement

Tube

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SIHB22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB22N60EF-GE3

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

30 V

2 V

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Enhancement

Tube

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SIHG052N60EF-GE3
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N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

52 mOhms

30 V

5 V

67 nC

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Enhancement

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SIHG61N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-247AC-3

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SIHP21N60EF-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP21N60EF-BE3

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

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4 V

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+ 150 C

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Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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$2.03

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

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30 V

5 V

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156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $11.38
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SIHG44N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG44N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

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$6.45

$5.82

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

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30 V

4 V

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- 55 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
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835En existencias

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SIHB24N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB24N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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$4.89

$3.93

$3.50

$3.09

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

156 mOhms

30 V

2 V

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- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $9.83
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SIHH24N65EF-T1-GE3

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78-SIHH24N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

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$9.83

$8.81

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

23 A

130 mOhms

30 V

4 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

SIHW61N65EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $15.76
409En existencias

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SIHW61N65EF-GE3

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78-SIHW61N65EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD

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$15.76

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$8.96

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH14N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $5.98
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SIHH14N60EF-T1-GE3

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Cinta cortada

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$2.87

$2.60

$2.55

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$2.43

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

220 mOhms

30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH11N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $5.98
2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH11N65EF-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH11N65EF-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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2,927En existencias

Cinta cortada

$5.98

$5.42

$3.83

Envase tipo carrete

$2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

332 mOhms

30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $7.61
440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N65EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG24N65EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

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440En existencias

$7.61

$5.09

$4.10

$3.21

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TO-247AC-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHP052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $7.98
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP052N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP052N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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969En existencias

$7.98

$4.31

$3.95

$3.63

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

52 mOhms

30 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

SIHG24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $6.11
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N.º de artículo del Fabricante
SIHG24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHG24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET

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1,387En existencias

$6.11

$3.22

$2.94

$2.83

$2.54

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

SIHP24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $5.36
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SIHP24N80AEF-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIHP24N80AEF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

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1,620En existencias

$5.36

$2.79

$2.54

$2.13

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.76
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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332En existencias

$4.76

$2.45

$1.83

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $17.70
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG80N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG80N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

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59En existencias

$17.70

$10.34

$10.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

32 mOhms

30 V

2 V

400 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.38
953Se espera el 21/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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953Se espera el 21/12/2026

$4.38

$2.28

$2.07

$1.70

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Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

SIHG22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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500Existencias disponibles

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SIHG22N60EF-GE3

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78-SIHG22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

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500Existencias disponibles

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$3.18

$2.62

$2.22

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Mult.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA24N65EF-E3
Vishay / Siliconix
1,000: $3.02
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N.º de artículo del Fabricante
SIHA24N65EF-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA24N65EF-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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$3.02

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

24 A

156 mOhms

30 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Tube

EF High Voltage Power MOSFETs

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