DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 1,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.9 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.67 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2,515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A 2,466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 500 mV 18.9 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2,363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 43.6 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.2 nC - 55 C + 175 C 3.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W 1,045En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF 2,488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 51,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A 4,952En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 13.3 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 15,926En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 45 A 9.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 33.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 10,723En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 5,826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson 7,922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 4,030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V 6,288En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 68 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 8,857En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 17.9 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2,415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 3,258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 41.3 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF 9,621En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13 A 6.5 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 22.4 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson 9,300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 13,745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 9.2 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 500 mV 18.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 30,293En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000
Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel, NPN 2 Channel 60 V 8.8 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.9 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape